FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺,该工艺经过优化,可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。


厂商: Fairchild

文件类型: PDF

文件大小: 227 KB

文件校验: 23749CE80C71FDC3EC4861FDB2C3B1C3

上传时间: 2012-07-12 17:43:00

下载统计: 598

PDF链接: FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 PDF

相关说明书