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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。
文件格式: PDF
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MD5: 86DC958E480B89731F1C385D02BDA380
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDY2000PZ Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 PDF