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更新: 01 October, 2023
FQN1N60C是600V N通道MOSFET，具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为4.8 nC）、低Crss（典型值为3.5 pF）、快速开关和100％雪崩测试等特点。
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MD5: B3F6FF0F1238C6F6CCBA5CD6BD9231E7
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FQN1N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 PDF