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更新: 28 September, 2023
这份文档介绍了RFD16N05L和RFD16N05LSM两款N沟道逻辑电平功率MOSFET器件的特点和特性，包括其功率控制、导电能力、门极偏置范围、特殊门氧化设计、开关速度等。
文件格式: PDF
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MD5: 0E4DD18CB412E811BC230FF9D2186013
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD RFD16N05L, RFD16N05LSM 说明书 PDF