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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了1998年12月制造的NDT456P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性。该晶体管具有-30V的漏源电压、±20V的栅极源电压和最大-7.5A的漏电流。它采用高密度单元设计，具有极低的导通电阻和高功率、电流处理能力。适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 6957062C25D2A2CD43A6B283E856C5E4
发布时间: 12 July, 2012
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