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更新: 30 September, 2023
本应用笔记介绍了一种用于测试无热沉功率MOS晶体管的安全工作区域的方法。该方法不使用热沉，而是依赖于器件封装的热电容（CT），以便在SOA测试期间预测器件外壳的温度。
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MD5: C74D0A3DD43A51E65F1ADA4708F9C2D9
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD Semiconductor AN-7516 应用手册 PDF