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更新: 30 September, 2023
本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型，该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性，并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应，并且独立于 SPICE 的全球温度定义。
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MD5: F6F7CCD50B4EBE72F28A483CFCEE901F
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) PDF