TEXAS INSTRUMENTS TPS1101, TPS1101Y 数据手册(1)

TPS1101是一种单通道低rDS(on)增强型P沟道MOSFET。该器件通过Texas Instruments LinBiCMOS处理器进行优化，可在3V或5V电源分配中提供电池供电系统。TPS1101具有最大-1.5V的VGS(th)和仅0.5µA的IDSS，是低电压便携式电池管理系统中理想的高侧开关，最大限度地延长电池寿命。TPS1101的低rDS(on)和优异的交流特性（上升时间为5.5ns，典型值）使其成为低电压开关应用的合理选择，例如用于脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄的TSSOP（PW）封装版本适用于高度受限的位置，其他P沟道MOSFET无法适应这些位置。该尺寸优势在不允许小外形集成电路（SOIC）封装的板高度限制的应用中尤为重要。这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、蜂窝电话和PCMCIA卡。