ST STP16N10L 数据手册
STP16N10L是一种N沟道功率MOS晶体管，具有100V的漏源电压，0.14Ω的典型导通电阻，16A的漏极电流，适用于高电流、高速开关、功率电机控制、DC-DC和DC-AC转换器、同步整流等应用。
厂商: ST
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上传时间: 2012-08-07 10:16:00
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