ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册(1)
STP19N06L和STP19N06LFI是N通道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有0.085欧姆的典型RDS(on)，采用100%的AVALANCHE测试，适用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器等应用。
厂商: ST
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上传时间: 2012-08-07 10:17:00
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