ST STRH8N10 数据手册
该文档介绍了STMicroelectronics的STRH8N10 Rad-Hard N-channel 100 V, 6 A Power MOSFET，具有快速开关、100%雪崩测试、密封封装、70 krad TID和SEE辐射硬化等特点。
厂商: ST
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上传时间: 2012-08-08 15:26:00
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