ST STPSC6H065 650 V power Schottky silicon carbide diode 数据手册
该文件介绍了一种名为STPSC6H065的650V功率硅碳化物肖特基二极管的特点和特性。该二极管采用硅碳化物基片制造，具有宽禁带材料，可设计成650V额定电压的肖特基二极管结构。由于采用了肖特基结构，关断时没有恢复现象，并且震荡模式可以忽略不计。该二极管的容性关断行为与温度无关，特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下提高性能。其高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有更大的裕度。
厂商: ST
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上传时间: 2012-08-09 09:57:00
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