内存 说明书

该文档介绍了KVR1066D3D8R7SK3/12G型号的内存模块规格，包括模块容量、时序、电压、特性等。

这份文档介绍了ValueRAM的DDR3L-1333 CL9 SDRAM (同步DRAM) 8GB内存模块的特点和特性，包括低电压、注册、带奇偶校验、4Rx8 ECC等特性。

KVR1333D3N9K2/2G 2GB (1GB 1Rx8 128M x 64-Bit x 2 pcs.) PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM Kit 是 ValueRAM 的一款内存模块，采用 DDR3-1333 内存，单条容量为 1GB，总容量为 2GB，支持 CAS 延迟 9、8、7、6，支持 8 个独立内部 bank，支持 Burst Length 8 和 4，支持 Asynchronous Reset，支持 On Die Termination using ODT pin，支持 Bi-directional Differential Data Strobe，支持 Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)，支持 Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C。

这是一个关于 Kingston的 KHX2400C11D3K4/8GX 内存模块的产品描述文件。它包含了内存模块的容量、速度、时序等信息

本文档介绍了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，注册带奇偶校验，2Rx8，ECC，VLP（超低型）内存模块。该模块基于十八个256M x 8位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM接口使用金触点。

该文件描述了金士顿的512M x 64位（4GB）DDR3-1333 CL7 SDRAM（同步DRAM）内存模块的特点特性，基于十六个256M x 8位FBGA组件。该模块经过测试，以1.65V的低延迟时间7-7-7-20以DDR3-1333运行。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时间9-9-9。该240针DIMM使用金接触指。JEDEC的电气和机械规格如下：

该文档描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，通过Intel®兼容性测试，注册带奇偶校验，1Rx4 ECC内存模块，基于十八个512M x 4位DDR3L-1333 FBGA组件。该DIMM采用金触点。其电气和机械规格如下：

KHX2133C10D3W1K2/4GX 4GB (2GB 256M x 64-Bit x 2 pcs.) DDR3-2133 CL10 240-Pin DIMM Kit 是金士顿的一款 4GB DDR3-2133 内存，支持 Intel® XMP (Extreme Memory Profiles)，支持 JEDEC 标准低延迟 DDR3-1333 时序 9-9-9 1.5V。

KVR1333D3N9K2/4G 4GB (2GB 2Rx8 256M x 64-Bit x 2 pcs.) PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM Kit 是 ValueRAM 的一款内存模组，采用 JEDEC 标准的 1.5V 电源，支持 DDR3-1333 时序，并具有 8 个独立内部银行。

该文件描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），注册w /奇偶校验，2Rx8，ECC内存模块，基于十八个256M x 8位DDR3-1333 FBGA组件。SPD已编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序9-9-9，电压为1.5V。这款240针DIMM使用金接触指。电气和机械规格如下：

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Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) Datasheet 数据表介绍了Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) 产品的特点特性

Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)是一种功能丰富的低功耗解决方案，采用Intel的最新0.13µm和0.18µm技术制造。C3设备具有低电压能力（3V读取、编程和擦除）以及高速、低功耗操作。灵活的块锁定允许任何块独立锁定或解锁。通过Intel® Flash Data Integrator (FDI)软件，提供了一种经济、灵活的、单片代码加数据存储解决方案。

AT49F1024和AT49F1025是5伏特的只读闪存，其1兆字节的存储器组织为65,536个字16位。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，在商用温度范围内功耗仅为275mW，访问时间为35ns。当器件被复位时，CMOS待机电流小于100µA。AT49F1024和AT49F1025的唯一区别在于封装。为了允许简单的在系统内重编程，AT49F1024/1025不需要高输入电压进行编程。五伏特的命令确定了读写操作。

Am29LV320MT/B是一款32 Megabit (2 M x 16-Bit/4 M x 8-Bit)的MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory，具有单电源供电操作、128-word/256-byte的SecSi (Secured Silicon) Sector区域、灵活的扇区架构等特点。