SGS-THOMSON说明书大全
SGS-THOMSON TDA1905 说明书
TDA1905是一款集成电路芯片，用于广泛的无线电和电视应用中作为低频功率放大器。它具有静音功能、过温保护、低噪声、高供电电压抑制、低开关噪声等特点。
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SGS-THOMSON TDA1904 说明书(1)
TDA1904是一款用于便携式收音机和电视机中广泛应用的低频功率放大器芯片，具有高输出电流能力、保护芯片过热、低噪音、高输入电压抑制等特性。
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SGS-THOMSON TDA1904 说明书(1)(1)
TDA1904是德州仪器公司生产的一款4W音频放大器芯片，具有高输出电流能力、低噪声、高供电电压抑制等特点，适用于便携式收音机和电视机等应用
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SGS-THOMSON TDA1771 说明书(1)
TDA1771是一款全性能、高效的垂直偏转电路，可直接驱动彩色和黑白电视机的电视图像管，以及监视器和数据显示器。
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SGS-THOMSON TDA1771 说明书(1)(1)
TDA1771是一款单片集成电路，用于直接驱动彩色和黑白电视、监视器和数据显示器中的电视显像管。它具有全面的性能和高效的垂直偏转电路。
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SGS-THOMSON BTW 68(N)数据手册
该文件介绍了鼎好BTW 68 (N)系列硅控整流器的特点和特性，包括高浪涌能力、高导通电流、高稳定性和可靠性。该系列硅控整流器采用高性能玻璃钝化技术，适用于电阻性或感性负载的400Hz功率供应。
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SGS-THOMSON BTW 68 (N) Data Sheet
该文件介绍了BTW 68（N）系列硅控整流器的参数和特性，包括最大电流、最大温度范围、最大耐压等。该系列产品具有高浪涌能力、高稳定性和可靠性。适用于频率为400Hz的电源以及电阻性或感性负载。
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SGS-THOMSON TDA2040 说明书(1)
TDA2040是一款20W功率音频放大器，包含了短路保护和热关断系统，输出功率可达22W，谐波失真和交叉失真非常低。
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SGS-THOMSON TDA2040 说明书
TDA2040是一款单片集成电路，采用Pentawatt封装，用作音频AB类放大器。具有高输出电流，非常低的谐波和交叉失真。还采用了专利的短路保护系统和热关断系统。
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SGS-THOMSON TDA2030 说明书
TDA2030是一种单片集成电路，用于低频类AB放大器，输出功率为14W，具有低谐波和交叉失真。它还具有短路保护和热关断系统。
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SGS-THOMSON TDA2030A 说明书
TDA2030A是一款单片集成电路，适用于低频AB类放大器。它具有高输出电流和极低的谐波和交叉失真。此外，该器件还具有短路保护系统和热关断系统。
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SGS-THOMSON TDA2030A 说明书
TDA2030A是18W Hi-Fi放大器和35W驱动器，适用于低频AB类放大器。它具有高输出电流和非常低的谐波和交叉失真。另外，该器件还具有短路保护系统，该系统包括自动限制功耗的装置，以使输出晶体管的工作点保持在其安全工作区域内。还包括常规的热关断系统。
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SGS-THOMSON L7800 SERIES Data Sheet
The L7800 series of three-terminal positive regulators is available in TO-220 ISOWATT220 TO-3 and D2PAK packages and several fixed output voltages, making it useful in a wide range of applications.Theseregulators can provide local on-card regulation, eliminating the distribution problems associated with single point regulation. Each type employs internal current limiting, thermal shut-down and safe area protection, making it essentially indestructible. If adequate heat sinking is provided, they can deliver over 1A output current. Although designed primarily as fixed voltage regulators, these devices can be used with external components to obtain adjustablevoltages and currents.
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SGS-THOMSON L6570A L6570B Data Sheet
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SGS-THOMSON STP6NA80 STP6NA80FI 说明书
STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为1.68欧姆，栅极到源极电压额定值为±30V，100%雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低固有电容，栅极电荷最小化，降低阈值电压分散。
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SGS-THOMSON STP6NA60FP 说明书(1)
STP6NA60FP是一种N沟道增强模式快速功率MOS晶体管，具有低阻抗、低内部电容、最小化的门电荷和降低的阈值电压扩散等特点。适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器以及焊接设备、不间断电源和电机驱动等应用。
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SGS-THOMSON STP6NA60FP 说明书(1)(1)
STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR is a high voltage power MOSFET with low RDS(on) and gate charge. It is suitable for high current, high speed switching applications.
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