General说明书大全
GENERAL SEMICONDUCTOR BZT52-C2V4 THRU BZT52-C75 Data Sheet
本文件是关于BZT52-C10的电子元器件数据手册。BZT52-C10是ON Semiconductor生产的，是一种硅平面功率齐纳二极管。齐纳二极管的额定电流为5mA，电压为10V。齐纳二极管的封装为SOD-123。
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GENERAL SEMICONDUCTOR BF820/BF822 数据手册
BF820、BF822是NPN硅晶体管，适用于电视接收机和显示器的B类视频输出级应用。
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General Purpose Transistors BCW 31/32/33 数据手册
BCW 31, BCW 32, BCW 33是NPN型表面贴装硅晶体管，最大功耗为250 mW，塑料外壳为SOT-23，重量约为0.01 g，标准包装为卷装。
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GENERAL SEMICONDUCTOR US1A THRU US1J Data Sheet
US1A THRU US1J SURFACE MOUNT ULTRAFAST EFFICIENT RECTIFIER是ON Semiconductor的一种表面贴装超快速高效整流器产品，额定反向电压为50至600伏，额定正向电流为1.0安培。该产品具有塑料外壳、低功耗、高效率、高温焊接等特点。
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GENERAL SEMICONDUCTOR UF5400 THRU UF5408 Data Sheet
该文档介绍了UF5400-UF5408系列超快高效塑料整流器产品的特点特性，包括反向电压、正向电流、反向恢复时间、正向电压、漏电、浪涌能力、高温焊接等。
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GENERAL SEMICONDUCTOR RGP10A THRU RGP10M 数据手册
RGP10A THRU RGP10M 玻璃钝化结快换开关二极管 反向电压为 50 至 1000 伏，正向电流为 1.0 安培
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GENERAL SEMICONDUCTOR LCE6.5 THRU LCE28A SERIES Data Sheet
LCE6.5至LCE28A系列是一种低电容的TransZorb™瞬态电压抑制器。其特点包括：塑料封装具有UL 94V-0防火等级、玻璃钝化结界、1500W峰值脉冲功率能力、优异的压制能力、低的浪涌电阻、快速响应时间、适用于数据线应用等。
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GENERAL SEMICONDUCTOR RGP25A THRU RGP25M Data Sheet
RGP25A到RGP25M是玻璃钝化结构的快速开关整流器，反向电压范围为50至1000伏特，正向电流为2.5安培。该产品具有高温度冶金键合结构、玻璃钝化无腔结构、无热失控的2.5安培工作、低反向漏电流、快速开关以实现高效率等特点。
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GENERAL SEMICONDUCTOR BZX79 SERIES Data Sheet
BZX79系列硅平面齐纳二极管，特点是齐纳电压按国际E24标准分档，提供±2%、±3%和±5%的容差，可根据要求提供更高的齐纳电压和1%的容差。
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GENERAL SEMICONDUCTOR BZX84 Series 数据手册
该文件介绍了9/28/00特性、硅平面功率稳压二极管、国际E 24标准下的Zener电压分级、标准Zener电压公差、其他封装样式和配置以及最大额定值和热特性。
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GENERAL SEMICONDUCTOR P6KA6.8 THRU P6KA43A Data Sheet
P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。
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General purpose transistor (isolated transistors) EMD30 说明书
EMD30是罗姆推出的双管数字开关，具有高耐压、低阻抗和低功耗等特点，可广泛应用于DC/DC转换器、电机驱动等领域。
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General purpose transistor (isolated transistors) EMD38 说明书
EMD38 是 ROHM 推出的一款数字晶体管，采用 EMT6 封装，集成 DTr1、DTr2 两个独立的 NPN 和 PNP 晶体管，可应用于驱动电路。
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General purpose (dual digital transistors) EMD5/UMD5N 说明书
EMD5/UMD5N是罗姆推出的一款双数字晶体管，该晶体管集成了DTA143X芯片和DTC144E芯片，可以安装在EMT3或UMT3自动装配机上。
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General purpose transistor (isolated transistor and diode) QSZ3 说明书
QSZ3 是 ROHM 公司生产的一种双管晶体管，它集成了 2SB1705 和 2SD2670 两个晶体管，封装形式为 TSMT5，具有低 VCE(sat) 和小封装的特点。
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General Purpose Transistor MMBTA70 说明书
MMBTA70是Kexin生产的SOT-23封装的NPN通用三极管。最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-4V，最大集电极电流为-100mA。
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