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HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是高频、双MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N通道MOSFET。

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ISL6207 is a high frequency, dual MOSFET driver, optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology in mobile computing applications.

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ISL6208是一款高频率、双通道MOSFET驱动器，专为驱动同步整流型降压转换器拓扑中的两个N沟道功率MOSFET而优化。它特别适用于需要高效率和卓越热性能的移动计算应用。该驱动器与英飞凌多相降压PWM控制器配合使用，可为先进的移动微处理器构成完整的单级核心电压调节器解决方案。ISL6208的下拉门极驱动器具有4A典型电流。在此电流下，下MOSFET门极可以在相节点上升沿时保持关闭状态。这可防止由于相电压dv/dt过高而导致的射穿功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用的MOSFET 30V击穿电压相匹配。ISL6208还具有三态PWM输入，与英飞凌的多相PWM控制器配合使用，可防止在CPU关机时输出负电压。此特性消除了微处理器电源系统中通常出现的保护型肖特基二极管。利用ISL6208，可高效地切换MOSFET门极，最高频率为2MHz。每个驱动器能够以8ns的传播延迟驱动3000pF负载，转换时间低于10ns。引导电路采用内部肖特基二极管实现。这可降低系统成本和复杂性，同时允许使用更高性能的MOSFET。

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ISL6209是Intersil推出的高频双MOSFET驱动器，专为在手机计算应用中以同步整流降压转换拓扑驱动两个N通道功率MOSFET而优化。与Intersil多相降压PWM控制器（如ISL6216、ISL6244和ISL6247）配合使用，该驱动器可为高级移动处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案。ISL6209的下拉栅极驱动器具有4A典型电流。4A典型电流能够在PHASE节点上升沿期间保持下MOSFET栅极，从而防止PHASE节点高dv/dt引起的开关损耗。工作电压符合移动计算机电源中常用的MOSFET 30V击穿电压。ISL6209还具有三态PWM输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可在关断输出时防止输出电压产生负暂态。这种功能消除了通常在微处理器电源系统中用来保护微处理器的肖特基二极管因反向输出电压损坏。ISL6209能够高效地在高达2MHz的频率下切换功率MOSFET。每个驱动器能够以8ns的传播延迟和不到10ns的转换时间驱动3000pF负载。该产品在上栅极上实现了引导。

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ISL6210是Intersil公司推出的双电源同步整流MOSFET驱动器，适用于同步整流buck转换器拓扑中的双独立功率通道。ISL6210与Intersil ISL62xx多相PWM控制器配合使用，可为高级微处理器提供高开关频率下的高效率单级核心电压调节器解决方案。ISL6210采用单低压电源(5V)偏置，可在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。ISL6210的每个驱动器可以驱动3nF负载，上升/下降时间小于10ns。通过内部低正向压降二极管实现上门驱动器的引导，降低了实施成本、复杂性，并允许使用高性能、高性价比的N通道MOSFET。集成了自适应射频干扰保护功能，防止两个MOSFET同时导通。ISL6210为下门驱动器提供4A典型吸收电流，增强下MOSFET门极在PHASE节点上升沿时的保持能力，防止由于开关节点高dv/dt导致的下MOSFET自开启造成的功耗损失。ISL6210还具有可识别高阻状态的输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可防止在操作过程中控制输出电压上的负瞬态。

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ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动上功率和下功率N通道MOSFET，以构建同步整流降压转换器拓扑。

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ISL6594D是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动上级和下级功率N通道MOSFET，其拓扑结构为同步整流降压转换器

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ISL6596是一个高频率的MOSFET驱动器，优化用于驱动两个N通道功率MOSFET在同步降压转换器拓扑中。该驱动器与Intersil的多相降压PWM控制器结合，形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案，具有高效率性能和高开关频率，适用于先进微处理器。该IC由单个低电压供应（5V）偏置，最大限度地减小了在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。通过内部低正向压降二极管实现了上栅极驱动器的引导，减少了实现成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更低的N通道MOSFET。集成了自适应防通电保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6596具有4A的典型下位栅极驱动器沉降电流，增强了在相节点上升沿期间下位MOSFET的栅极抑制能力，防止由于开关节点的高dV/dt而导致下位MOSFET的自开启引起的功率损失。ISL6596还具有识别高阻态输入的功能，与Intersil多相3.3V或5V PWM控制器配合使用，以防止操作暂停时对控制输出电压产生负激变。

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ISL6605是Intersil公司推出的一款高频、MOSFET驱动器，专门优化为在同步整流Buck转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。

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ISL6608 is a high frequency, MOSFET driver optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous- rectified buck converter topology.

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ISL6609, ISL6609A是Intersil公司的一款高频MOSFET驱动器，专门用于驱动两个N通道功率MOSFET，以构建同步整流降压转换器拓扑。该驱动器与Intersil ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器配合使用，可形成一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高频开关时具有高效率性能，适用于先进的微处理器。该IC由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地减少高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器都能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。通过内部低正向压降二极管实现上栅极驱动器的引导，降低了实现成本、复杂性，并允许使用高性能、高性价比的N通道MOSFET。集成了自适应开关保护，防止两个MOSFET同时导通。ISL6609, ISL6609A的下栅极驱动器典型吸收电流为4A，可增强下MOSFET栅极在PHASE节点上升沿时的保持抑制能力，防止由于开关节点的高dv/dt而导致的下MOSFET的自激开关造成的功率损失。ISL6609, ISL6609A还具有一个识别高阻状态的输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可防止受控输出上的负瞬变。

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ISL6610, ISL6610A 双同步整流MOSFET驱动器

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ISL6611A是一种具有集成驱动器和相位泄露功能的相位倍增器。它可以通过单个PWM输入调制两相电源，将Intersil的ISL63xx多相控制器支持的相位数翻倍。同时，当使能引脚（EN_PH）被拉低时，PWM线可以被拉高，以禁用相应相位或更高相位，从而简化了相位泄漏的实现。为了简化布局并提高系统性能，该器件集成了两个5V驱动器（ISL6609）和电流平衡功能。ISL6611A旨在最小化控制器和驱动器之间的模拟信号数量，适用于高相位计数和可扩展应用。不需要常规级联配置中通常见到的公共COMP信号，这提高了抗干扰性能并简化了布局。此外，与传统的级联技术相比，ISL6611A具有低零件数量和低成本优势。该IC由单一低压供电（5V）偏置，最大限度地降低了在高MOSFET栅电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。通过内部低正向降压二极管实现了上升驱动器的自适应断线保护，从而降低了实施成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更低的N沟MOSFET。

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ISL6614B是一款具有预电源过压保护功能的双高级同步整流Buck MOSFET驱动器。它能够驱动两个通道的MOSFET，在同步整流Buck变换器拓扑中发挥作用。该驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相Buck PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用，可以构成先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6614B具有7V上升阈值，可以同时驱动上下栅极，电压范围为5V至12V。这种驱动电压提供了优化应用的灵活性，可以在栅电荷和导通损耗之间进行权衡。该驱动器经过优化，适用于IBA系统的POL DC/DC转换器。它集成了先进的自适应零间隙保护功能，可以防止上下MOSFET同时导通，并最小化死区时间。此产品在VCC超过其开启阈值之前即可实现过压保护，此时PHASE节点被连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。

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ISL6615是一款高频MOSFET驱动器，可优化驱动上功率N-通道MOSFET和下功率N-通道MOSFET，用于同步整流降压转换器拓扑。

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ISL6615A是ISL推出的一款高频MOSFET驱动器，可驱动上、下电源N通道MOSFET，应用于同步整流降压转换器拓扑。ISL6615A与Intersil数字或模拟多相PWM控制器结合在一起，形成完整的高频和高效率电压调节器。ISL6615A驱动上、下栅极，范围为4.5V至13.2V。这种驱动电压提供了必要的灵活性，以优化涉及栅极电荷和导通损耗之间的权衡的应用。ISL6615A的低侧栅极驱动器具有6A典型吸收电流，可增强低侧MOSFET栅极在PHASE节点上升沿时的保持能力，防止由于开关节点高dV/dt引起的低侧MOSFET自开启引起的功耗损失。集成了先进的自适应零开关保护，可防止上下MOSFET同时导通并最小化死区。ISL6615A在VCC超过其开启阈值之前包含一个过电压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。然后，转换器的输出电压由低侧MOSFET的阈值限制，如果上侧MOSFET短路，则为负载提供一些保护。ISL6615A还具有一个检测高阻抗的输入。

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ISL6620, ISL6620A是Intersil为VR11.1控制器设计的一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流Buck转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET，具有先进的PWM协议，能够与Intersil VR11.1控制器配合使用，并与N沟道MOSFET结合，形成完整的先进微处理器核心电压调节器解决方案。ISL6620, ISL6620A检测到Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，会激活二极管仿真(DE)操作；否则，它将以正常的连续导通模式(CCM)PWM模式运行。该器件由单个低电压电源(5V)偏置，可最小化高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动损耗。每个驱动器都能以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的引导通过内部低正向压降二极管实现，降低了实现成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更有效的N沟道MOSFET。为了进一步提高效率和降低成本，ISL6620, ISL6620A采用了单电源供电、高开关频率、高栅极驱动电流和增强的EMI抑制等技术。

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ISL6622是Intersil推出的一款用于驱动上、下电源N沟道MOSFET的高频MOSFET驱动器，适用于同步整流降压转换器拓扑。ISL6622的先进PWM协议专为与Intersil VR11.1控制器配合使用而设计，与N沟道MOSFET配合使用，可构成一个完整的先进微处理器核心电压调节器解决方案。当ISL6622检测到由Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它将激活二极管仿真（DE）和门极电压优化技术（GVOT）操作；否则，它将以正常的连续导电模式（CCM）PWM模式运行。在8 Ld SOIC封装中，ISL6622在正常PWM模式下将上、下栅极驱动到VCC，而在PSI模式下，下栅极会下降到一个固定的5.75V（通常）。10 Ld DFN器件提供了更多的灵活性：上栅极可以通过UVCC引脚从5V至12V进行驱动，而下栅极在PSI模式下具有可通过电阻选择的5.75V、6.75V和7.75V（通常）的驱动电压。这提供了必要的灵活性，以优化应用。

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ISL6622A是Intersil推出的一款高频MOSFET驱动器，用于驱动上、下功率N通道MOSFET，以实现同步整流Buck转换器拓扑。ISL6622A的先进PWM协议专门设计用于与Intersil VR11.1控制器配合使用，结合N通道MOSFET，构成用于先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。当ISL6622A检测到由Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它会激活二极管仿真（DE）操作；否则，它会在正常连续导通模式（CCM）PWM模式下运行。在8 Ld SOIC封装中，ISL6622A驱动上门极到12V，而下门极可以从5V到12V驱动。10 Ld DFN部分允许更多灵活性。上门可以使用UVCC引脚从5V到12V驱动，下门也可以使用LVCC引脚从5V到12V驱动。这提供了必要的灵活性，以优化涉及门电荷和导通损耗之间的权衡的应用。ISL6622A还提供了一个用于减小EMI的额外启动电流控制功能。

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