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这些N通道功率MOSFET是使用创新的UltraFET™工艺制造的。这种先进的工艺技术实现了最低的硅面积比，从而具有出色的性能。该器件能够承受雪崩模式的高能量，二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。它被设计用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。以前是开发型号TA75343。

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这是一款75A、55V、0.012 Ohm、N通道超级MOSFET。它采用先进工艺制造，具有极低的开关电阻，在浪涌模式下可承受高能量，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它适用于需要高功率效率的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

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这是一款75A, 55V, 0.014 Ohm的N-Channel UltraFET Power MOSFETs，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有非常低的逆向恢复时间和存储电荷。

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这份文件介绍了HUF75333G3、HUF75333P3和HUF75333S3S这三款66A、55V、0.016 Ohm的N-Channel UltraFET Power MOSFETs。这些器件采用了创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的导通电阻和出色的性能。它们能够在雪崩模式下承受高能量，二极管反向恢复时间和存储电荷非常低。这些器件适用于注重功率效率的应用，如开关稳压器、开关变换器、马达驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池驱动产品的电源管理。

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这是一款60A，55V，0.019 Ohm，N-Channel UltraFET Power MOSFETs，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有非常低的反向恢复时间和存储电荷，适用于功率效率要求很高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理

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49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 这是Intersil Corporation生产的N通道功率MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺，具有超低的开关电阻和超高的性能，它适用于功率转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理等应用。

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该文件介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款20A、55V、0.026欧姆的N-沟道UltraFET功率MOSFET。这些器件采用了创新的UltraFET工艺，具有最低的单位面积导通电阻，表现出卓越的性能。它们能够承受大能量的雪崩模式并且二极管具有很低的反向恢复时间和存储电荷。它们设计用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、电动机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池操作产品的功率管理。

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该文件介绍了HUF75321P3和HUF75321S3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特点和特性。这些器件采用先进的UltraFET工艺制造，具有极低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的电压冲击，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

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这份文件介绍了HUF75321D3和HUF75321D3S两款20A、55V、0.036 Ohm的N沟道功率MOSFET。这些器件使用创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的单位面积导通电阻，性能出色。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。这些器件适用于对功率效率要求较高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池供电产品的电源管理。

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该文件介绍了HUF75309T3ST型号的产品特点和特性，是一款N-Channel功率MOSFET器件。该器件采用创新的UltraFET工艺制造，具有低电阻、高能耗和低反向恢复时间等优点，适用于需要高功率效率的应用。常用于开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的功率管理等领域。

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该文档介绍了HUF75309P3、HUF75309D3和HUF75309D3S这三种N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特性。这些器件采用了创新的UltraFET工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有很低的反向恢复时间和储存电荷。它们适用于对功率效率要求较高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

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本文介绍了一款N-沟道超FET功率MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造。该器件具有低电阻和低反向恢复时间等优异的性能，适用于功率效率要求高的应用领域。

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HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low- voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75307.

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这是一款Intersil HUF75229P3 44A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET，它采用了创新的UltraFET™工艺，具有极低的导通电阻，非常适合于要求功耗效率高的应用场合，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

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X5043, X5045是Intersil公司生产的一种4K, 512 x 8 Bit CPU Supervisor with 4K SPI EEPROM的芯片，它具有Power-on Reset Control, Watchdog Timer, Supply Voltage Supervision, and Block Lock Protect Serial EEPROM Memory等功能。

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HGTP3N60C3D和HGT1S3N60C3DS是MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。更低的导通电压损耗仅在25oC和150oC之间略有变化。所使用的IGBT是开发类型TA49113。与IGBT一起反向并联使用的二极管是开发类型TA49055。IGBT非常适合在适度频率下运行的许多高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要。

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HCTS138MS是Intersil的一种辐射硬化的3至8线译码器/解复用器。输出处于低电平活动状态。提供两个低电平和一个高电平使能(E1、E2、E3)。如果设备已启用，二进制输入(A0、A1、A2)确定哪个八个通常高电平的输出将进入低逻辑电平。HCTS138MS采用先进的CMOS/SOS技术实现高速操作。该器件是辐射硬化、高速、CMOS/SOS逻辑系列中的成员。HCTS138MS采用16引脚陶瓷平板(K后缀)或SBDIP封装(D后缀)供应。

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HCS02MS是Intersil公司生产的一款辐射抗扰四路2输入NOR门。低电平输入会使输出为高电平。HCS02MS采用先进的CMOS/SOS技术，具有良好的辐射抗扰性能，可在高温、高压、强电磁场等恶劣环境下正常工作。

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ISL8843是业界标准的单端电流模式PWM控制器，可替换流行的28C43和18C43 PWM控制器，适用于广泛的电源转换应用，包括升压、反激式和隔离输出配置。其快速的信号传播和输出开关特性使其成为现有和新设计的理想产品。

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