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介绍了AT93CXX串行EEPROM与AT89CX051微控制器的接口方法

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AT93C56A/66A (AT3552m/2k) SPI EEPROM Product Qualification 报告总结了 AT93C56A/66A Serial EEPROM 的 ESD、Latchup 和 Write Endurance 等产品级资质数据。该数据与 AT35000 Process Qualification and Reliability Report 一起，可以证明 AT93C56A/66A 的资质。

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AT28C010是高性能的EEPROM，1兆字节的存储空间，组织为131,072个8位字。制造商采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，读取速度达到120ns，功耗仅为220mW。当不选中设备时，CMOS待机电流小于200µA。AT28C010不需要外部组件即可像静态RAM一样访问读或写周期。该设备包含一个128字节的页寄存器，可允许同时写入多达128个字节。在写入周期期间，地址和1到128字节的数据会被内部锁存，释放地址和数据总线以供其他操作使用。在启动写周期之后，设备将自动完成页写操作。

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AT49BV040B是Atmel公司生产的2.7V到5.5V的系统可重编程闪存芯片，内存容量为4Mb，采用8位元架构，读取时间70ns（VCC=2.7V到3.6V）和55ns（VCC=4.5V到5.5V）。功耗为72mW（VCC=2.7V到3.6V）和110mW（VCC=4.5V到5.5V）。

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AT29LV512是Atmel公司生产的一种3V-only in-system Flash programmable erasable read-only memory (PEROM)，其特点是单电源电压范围3V到3.6V，3-volt Only Read and Write Operation，Software Protected Programming，Low-power Dissipation – 15 mA Active Current – 50 µA CMOS Standby Current，Fast Read Access Time – 120 ns，Sector Program Operation – Single-cycle Reprogram (Erase and Program)，512 Sectors (128 Bytes/Sector)，Internal Address and Data Latches for 128 Bytes，Fast Sector Program Cycle Time – 20 ms Max，Internal Program Control and Timer，DATA Polling for End of Program Detection，Typical Endurance > 10,000 Cycles，CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs，Green (Pb/Halide-free) Packaging Option 。

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AT29BV010A是一款2.7-3.6V的单一供电电压的可编程和可擦除的只读存储器(Flash)，具有快速的读取时间，低功耗，扇区编程操作，两个8K字节的引导块等特点。

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AT29BV020 是一款单电压 2.7 伏，供读写的 Atmel 低压闪存产品，其 2 兆字节的存储器组织为 262,144 个字，每个字 8 位。AT29BV020 采用 Atmel 先进的非易失性 CMOS EEPROM 技术制造，具有 120 纳秒的访问时间和 54 毫瓦的低功耗。当设备未被选中时，CMOS 待机电流小于 50 µA。设备的耐久性使得任何扇区都可以典型地写入超过 10,000 次。AT29BV020 的编程算法与 Atmel 低压闪存系列产品中的其他设备兼容。为了允许简单的在系统重新编程，AT29BV020 不需要高输入电压进行编程。该设备可以使用单一 2.7V 至 3.6V 电源操作。从设备中读取数据时，内部地址和数据锁存器可保持 256 字节的地址和数据。两块 8K 字节的引导块具有锁定功能，并且在 AT29BV020 上具有 1024 个扇区（每个扇区 256 字节）。

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该文档介绍了AT29LV020产品的特点和特性，包括单电压供电、3V至3.6V供电范围、快速读取访问时间、低功耗等。

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AT29BV040A是一款3伏特的只读内存(PEROM)

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该文档介绍了AT49BV802D(T)产品的特点和特性，包括单电压读写操作、访问时间、扇区擦除架构、快速字节/字编程时间、低功耗操作等。

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AT49BV160D(T)是16兆字节的闪存，具有32K字(64K字节)的扇区擦除架构，每个扇区有单独的写锁定。它具有快速的字写入时间(10微秒)和快速的扇区擦除时间(100毫秒)。该设备可以使用单个电源进行读取或重新编程，因此非常适合系统内编程。

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AT49BV160S(T)是Atmel公司的一种2.7伏16兆字节闪存器，具有39个扇区可供擦除，支持单电压读/写操作。

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本文件是AT49BV163D(T)产品的介绍手册,介绍了产品的特点特性

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AT49BV320D(T)是一个2.7伏特的32兆位闪存，组织成2,097,152个16位字。内存分为71个扇区用于擦除操作。该器件采用48引脚TSOP封装和47球CBGA封装。该器件具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该器件可以使用单一电源进行读取或重新编程，使其非常适合在系统编程中使用。设备在读取模式下启动。命令序列用于将设备置于其他操作模式。

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AT49BV320S(T)是Atmel公司的一款32Mbit闪存存储器，具有64K字节的63个扇区和8K字节的8个扇区，支持单电压读/写操作。

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AT49SV322D(T)是一款1.8伏特的32兆位闪存，具有单电压读/写操作，80纳秒的访问时间，63个32K字（64K字节）扇区和8个4K字（8K字节）扇区，支持快速字编程时间，低功耗操作等特点。

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本文件介绍了AT49BV640D(T)存储器的特点特性

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AT49BV640S是Atmel公司生产的一款2.7伏32兆字节的闪存存储器，组织为4,194,304个16位字，内存被分为135个扇区用于擦除操作。该设备采用64球CBGA封装，具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该设备可以读取或重新编程

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