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ON Semiconductor CS8182 数据手册
CS8182是一种单片集成的低压差跟踪稳压器，设计用于提供可调的缓冲输出电压，该电压与参考输入电压密切跟踪（±10 mV）。输出可提供高达200 mA的电流，同时可以配置为高于、低于或等于参考电压。该输出设计用于在广泛范围（2.8 V至45 V）内工作，同时保持出色的直流特性。CS8182受到反向电池、短路和热失控条件的保护。该器件还能承受45 V负载转储瞬变和-50 V反向极性输入电压瞬变。这使其适用于汽车环境中的使用。VREF/ENABLE引脚具有两个用途。它用于将输入电压作为输出的参考，并且还可以拉低以将器件置于睡眠模式，此时它从供应电源中通常只吸收少于30μA的电流。
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ON Semiconductor CS8129 数据手册
CS8129是一款5.0V的精密线性稳压器，能够提供750mA的电流。该稳压器的复位阈值电压降低到4.2V，因此可以与4.0V的微处理器一起使用。较低的复位阈值还允许在低电池条件下运行（5.5V加上二极管）。RESET的延迟时间可通过离散RC网络进行外部编程。在开机时，或当输出电压超出范围时，RESET保持低电平状态，直到延迟时间结束。此功能与输入电压无关，只要输出电压保持在1.0V或以上，此功能就能正常工作。在延迟和复位比较器中加入了滞回，以提高抗干扰能力。当短暂故障条件触发时，会使用自锁放电电路来放电延迟电容器。该稳压器可以防止各种故障条件，例如反向电池、过电压、短路和热失控条件。该稳压器可防止电压瞬变从-50V到+40V。短路电流限制为1.2A（典型值）。CS8129采用5引脚TO-220和16引脚表面贴装封装。
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ON Semiconductor MBR120ESFT1 Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD–123 Package 数据手册
该文件介绍了MBR120ESFT1/D 肖特基功率二极管的特性。
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ON Semiconductor MBR120LSFT1 数据手册
该文件介绍了一种使用肖特基势垒原理的塑料SOD-123封装的大面积金属-硅功率二极管。该产品适用于低电压、高频率整流、自由轮和极性保护二极管，尤其适用于对系统的紧凑尺寸和重量要求较高的表面贴装应用。该产品具有低正向电压、125°C工作结温和优异的ESD特性等特点。
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ON Semiconductor MBR120VLSFT1 数据手册
MBR120VLSFT1/D是一款肖特基功率二极管，使用肖特基势垒原理和大面积的金属到硅功率二极管。
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ON Semiconductor MBR0540T1, MBR0540T3 数据手册
本数据手册介绍了 MBR0540T1/D Surface Mount Schottky Power Rectifier SOD−123 Power Surface Mount Package 的特点特性，包括应用场景、引脚定义、封装尺寸等。
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ON Semiconductor NCP1402 数据手册
NCP1402系列是专为从一或两节电池组供电的便携式设备而设计的单片微功率升压DC转DC转换器。该设备设计为在0.8 V的电池电压下启动，并可在低于0.3 V的电压下运行。仅需三个外部组件，此系列即可实现简单的方法来实现高效率转换器，该转换器能够在Vin = 2.0 V、VOUT = 3.0 V时输出高达200 mA的输出电流。每种器件都包括一个片上PFM（脉冲频率调制）振荡器、PFM控制器、PFM比较器、软启动、电压参考、反馈电阻、驱动器和带有电流限制保护的功率MOSFET开关。此外，还提供了一个芯片使能功能来使转换器掉电以延长电池寿命。NCP1402器件系列提供薄型SOT-23-5封装，具有五种标准的稳压输出电压。可制造范围从1.8 V到5.0 V的额外电压，以100 mV的步长。
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ON Semiconductor NCV4279C 数据手册(1)
这是一款5.0V精密微功率电压调节器，具有150mA输出电流能力。输出电压精度为±2.0%，最大压差为0.6V，可输出150mA电流。该部件特别适合任何电池供电的微处理器设备。微处理器控制逻辑包括活动重置（带延迟）和FLAG监视器，可用来向微处理器提供有关潜在即将发生的重置信号的早期警示信号。使用FLAG监视器可以让微处理器在重置关闭微处理器之前完成任何信号处理。活动重置电路在输出电压低至1.0V时可正常工作。如果输出电压低于调节限值，则会在电源启动序列期间或正常运行期间激活重置功能。通过将外部电阻分压器连接至RADJ引脚，可以降低复位阈值电压。该调节器具有反电池、短路和过热保护。该器件可以承受负载瞬态，使其适合在汽车环境中使用。该器件还经过优化，可满足EMC条件。
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ON RB751V40T1 Schottky Barrier Diode 数据手册(2)
RB751V40T1/D 是 ON Semiconductor 生产的肖特基二极管，具有极低的正向电压和极快的开关速度，适用于高频开关应用，电路保护和电压钳位。
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ON RB751V40T1 Schottky Barrier Diode 数据手册(1)
RB751S40T1是一种快速开关二极管，适用于高速开关应用、电路保护和电压限制。极低的正向电压降低了导通损耗。迷你表面安装封装非常适用于手持和便携应用，空间有限。
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ON Semiconductor BC368 (NPN), BC369 (PNP) 数据手册
BC368/D是BC368 (NPN)和BC369 (PNP)放大器晶体管的数据手册。
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ON Semiconductor BC337, BC337−16, BC337−25, BC337−40, BC338−25 数据手册(1)
BC337，BC337−16，BC337−25，BC337−40，BC338−25是NPN硅扩音器晶体管，具有Pb−Free封装
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ON Semiconductor BC337, BC337−16, BC337−25, BC337−40, BC338−25 数据手册(1)
该数据表提供了BC337, BC337-16, BC337-25, BC337-40, BC338-25的特性信息。
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ON Semiconductor BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40 数据手册(1)
BC327是ON Semiconductor生产的一款PNP型硅晶体管
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ON NTB90N02, NTP90N02 Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts N−Channel D2 PAK and TO−220 数据手册
NTB90N02/D NTB90N02, NTP90N02 是 N−Channel 的功率 MOSFET，最大电压为 24 V，最大电流为 90 A。该产品适用于低压、高速度开关应用，如电源、转换器、电机控制和桥式电路。
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ON Semiconductor NTB90N02, NTP90N02 数据手册
NTB90N02和NTP90N02是一种功率MOSFET，适用于低电压、高速开关应用，如电源、转换器和功率电机控制和桥电路。
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ON Semiconductor NTP85N03, NTB85N03 数据手册
NTP85N03, NTB85N03 是一种 N 沟道 MOSFET，额定电压为 28 V，额定电流为 85 A，用于低压、高速度开关应用，如电源、转换器和电动机控制器以及桥式电路。
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