ALPHA说明书大全

该数据表提供了AO4900A的规格信息，包括最大电流、最大电压、最大功耗、最大温度等。

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AO4610 是 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 生产的一种 N 沟道和 P 沟道互补增强型场效晶体管。其最大反向电压为 30 V，最大连续正向电流为 3 A，最大连续漏极电流为 8.5 A。

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AO4615是安森美半导体生产的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，该器件具有良好的RDS(ON)和低栅极电荷特性，可以用作高侧开关，以及其他应用

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该文档介绍了AO4614型号的p-channel和n-channel增强型场效应晶体管的特性和特点。它使用先进的沟槽技术MOSFET，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该产品可用于H桥、逆变器和其他应用。

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AO4609是一种互补增强型场效应晶体管，采用先进的沟道技术MOSFET，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它可以用于形成电平移动的高边开关以及其他应用。

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AO4606是一款由Alpha&OmegaSemiconductor,Ltd.生产的场效应晶体管，具有优异的RDS（ON）和低栅极电荷，可用于高侧开关等应用。

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该文件介绍了AO4604型号的产品特点和特性，包括使用先进的沟道技术MOSFET，提供优异的RDS(ON)和低栅电荷。该产品可用于功率逆变器等应用。

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AO4704是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有Schottky二极管特性。它采用先进的沟槽技术，具有优异的RDS(ON)、抗串通能力和体二极管特性。该器件适用于PWM应用中的同步开关。与Schottky二极管共封装进一步提高了效率。

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AO4709是Nexperia公司的一款P沟道增强型场效应晶体管，带有肖特基二极管，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷。

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AO4433是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 推出的一款P沟道增强型场效应晶体管，其特点是RDS(ON)<14mΩ(VGS = -20V)和RDS(ON)<18mΩ(VGS = -10V)。

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AO4430, AO4430L是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.推出的一款N沟道增强型场效应晶体管，其最大电压为30伏，最大电流为18安培，导通电阻小于5.5毫欧（VGS = 10伏），小于7.5毫欧（VGS = 4.5伏）。AO4430L采用无铅封装。

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AO4423是Alpha&Omega Semiconductor, Ltd.生产的一款P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor，它具有优异的RDS(ON)，以及超低的低栅极电荷，额定门极电压为25V。这款器件适用于负载开关或PWM应用，并且具有ESD保护。

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AO4422是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.推出的一款N沟道增强型场效应晶体管，其最大漏源电压为30V，最大漏源电流为11A，开关导通电阻小于15mΩ(VGS=10V)，小于24mΩ(VGS=4.5V)。

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AO4420是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.生产的一款N沟道增强型场效应晶体管，其特点是具有良好的RDS(ON)、防短路能力和体二极管特性，适用于PWM应用中作为同步开关。

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AO4419是一种P-沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于负载开关或PWM应用。

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AO4415是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.推出的一款P沟道增强型场效应晶体管，其特点是RDS(ON)小于26mΩ(VGS = -20V)，RDS(ON)小于35mΩ(VGS = -10V)，适合用作负载开关或PWM应用。

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AO4409是Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.生产的一款P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor，其最大功率耗散为3W，最大工作温度为150℃，最大工作电压为-30V，最大工作电流为-15A。AO4409采用先进的沟槽技术，具有优异的RDS(ON)和超低低门控电荷，适合用作负载开关或PWM应用。

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AO4408是一款N沟道增强型场效应晶体管，其最大漏源电压为30V，最大漏电流为12A。典型导通电阻为13mΩ（VGS = 10V），典型导通电阻为16mΩ（VGS = 4.5V）。AO4408采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和快速开关。这款设备是笔记本电脑CPU核心DC-DC转换的理想高侧开关。AO4408L(Green Product)采用无铅封装。

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