三菱说明书大全
MITSUBISHI DIA SURGE SUPPRESSOR DSS
该文件介绍了DSS系列直流放电器件的特点和特性，以及不同型号的技术参数和包装形式。这些器件主要用于电话线路和通信回路的浪涌保护。
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MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45V5964A 说明书
该文档介绍了27-March'98 MITSUBISHI SEMICONDUCTOR的MGFC45V5964A型号的GaAs FET。该产品是一个50欧姆系统内匹配的功率FET，适用于5.9 - 6.4 GHz频段放大器。具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。
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MITSUBISHI FS16KM-9 Data Sheet
该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS16KM-9高速开关使用的特点。它具有450V的漏源电压、0.45Ω的漏源电阻和16A的漏极电流。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源。
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MITSUBISHI ELECTRIC M5M4V64S20ATP-8, -10, -12 MITSUBISHI LSIs 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-8, -10, -12是三菱电气公司的64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM，具有LVTTL接口。所有输入和输出都参考CLK上升沿。M5M4V64S20ATP可实现高达125MHz的非常高速数据速率，适用于计算机系统的主存储器或图形存储器。
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MITSUBISHI MICROCOMPUTERS 38K0 Group 说明书
该文件介绍了一款单芯片8位CMOS微型计算机，属于Mitsubishi微型计算机的38K0系列。该系列具有USB功能、8位总线接口、串行I/O、三个8位定时器和8通道10位A-D转换器等特性，可用于PC外围I/O设备。
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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGFC36V4450A 说明书
该文件介绍了MITSUBISHI SEMICONDUCTOR公司生产的GaAs FET型号MGFC36V4450A的特点和特性。该GaAs FET在4.4~5.0GHz频段内具有高达4W的输出功率，12dB的功率增益，32%的功率增益效率以及低失真。该产品适用于4.4~5.0 GHz频段的功率放大器和数字无线通信应用。
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MITSUBISHI ELECTRIC 38C3 Group 说明书
该文档介绍了38C3系列的特点和特性，包括基本机器语言指令、内存大小、可编程输入/输出端口、中断源、定时器、A-D转换器、串行输入/输出等功能。
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MITSUBISHI MICROCOMPUTERS 38B4 Group 数据手册(1)
38B4系列是基于740家族核心技术的8位微型计算机。38B4系列具有6个8位定时器、1个16位定时器、一个荧光显示自动显示电路、12通道10位A-D转换器、一个具有自动传输功能的串行I/O，可用于控制乐器和家用电器。
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MITSUBISHI ELECTRIC MH8S64BALD -7,-8, -10 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
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MITSUBISHI ELECTRIC M35060-XXXSP 说明书
M35060-XXXSP是一种CATV屏幕显示控制IC，可显示40（水平）x 16（垂直）个字符。它具有内置的SYRAM，可以与字符ROM一起使用。它采用硅门CMOS工艺，封装在小型32引脚收缩DIP封装中。
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MITSUBISHI MF-10KDS-T12-06x/07x、MF-10KDS-R13-06x/07x 说明书
这是一份关于MITSUBISHI (OPTICAL DEVICES) MF-10KDS-T12-06x/07x MF-10KDS-R13-06x/07x SONET/SDH TRANSMITTER & RECIEVER的英文说明书。该产品专为SDH STM-64/SONET OC-192设计，采用冷却激光器和集成电路驱动，提供高光学性能。
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MITSUBISHI MICROCOMPUTERS M30222 Group 数据手册
M30222是三菱的单片16位CMOS微控制器，采用M16C/60系列CPU核心，内置乘法器和DMAC，适用于控制办公、通信、工业设备和其他高性能处理应用。
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MITSUBISHI IGBT MODULES CM150TL-24NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM150TL-24NF是三菱电机生产的一款功率为150A，耐压1200V的IGBT模块，适用于交流驱动逆变器和伺服控制等场景。
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MITSUBISHI (OPTICAL DEVICES) FU-68SDF-V802MxxxB 1.58 mm (L-Band) DFB-LD MODULE WITH SINGLEMODE FIBER PIGTAIL (WAVELENGTH SELECTED, BIAS CIRCUIT INTEGRATED, DIGITAL APPLICATION)
该光模块是一款1.58μm(L波段)DFB-LD模块，带有单模光纤尾纤，适用于2.5Gb/s数字光通信系统。
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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGFS48V2527 说明书
MGFS48V2527 是 Mitsubishi 推出的一款 60W push-pull type GaAs Power FET，主要应用于 2.5-2.7GHz 频段的功率放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点。
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MITSUBISHI ELECTRIC M2S28D20/ 30/ 40ATP 数据手册
该文件介绍了三种M2S28D系列DDR SDRAM产品，分别是M2S28D20ATP、M2S28D30ATP和M2S28D40ATP。这些产品采用双倍数据传输率同步DRAM架构，具有高速数据传输能力，适用于计算机系统的主存储器。产品具有双数据传输速率，双向数据节拍传输，差分时钟输入，自动预充电等特点。
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