三菱说明书大全

M63813P/FP/GP/KP是带有限流二极管的七电路单晶体管阵列。这些电路由NPN晶体管制成，具有极低的输入电流供应，可进行高电流驱动。具有四种封装配置，中等击穿电压，同步电流，带有限流二极管，低输出饱和电压，宽工作温度范围。适用于小信号的数字指示元件（LED和灯）驱动。

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M63814P/FP/GP/KP是7管单晶体管阵列，由NPN型晶体管组成。该集成电路可以驱动大电流，但输入电流极低。

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M63815P/FP/KP是具有钳位二极管的八路单结晶管阵列。电路由NPN晶体管组成。这两种半导体集成电路都以极低的输入电流供电实现了高电流驱动。

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M63816P/FP/KP是8通道300mA三极管阵列，具有钳位二极管，由NPN型晶体管构成。该器件能够在极低的输入电流供给下实现高电流驱动。

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M63817P/FP/KP是8通道300mA单管阵列,带钳位二极管.

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M63820FP/KP是一款8通道沉降驱动器，由16个NPN晶体管连接而成的8个高电流增益驱动器组成。具有高击穿电压、高电流驱动、带钳位二极管和3V微机系列兼容输入等特点。

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M63823P、M63823FP和M63823GP是带有夹持二极管的七通道达林顿晶体管阵列。电路由NPN晶体管构成。这些半导体集成电路具有极低的输入电流供应和高电流驱动能力。生产阵容还新增了225mil（GP）封装。M63823P和M63823FP与M54523P和M54523FP的引脚连接相同。M63823P和M63823FP的特点与M54523P和M54523FP相同或优于后者。

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M63824GP/KP是7通道NPN晶体管阵列，集成了7个高电流增益驱动对。该产品具有高击穿电压(BVCEO ≥ 50V)、高电流驱动(IC(max) = 500mA)、内置钳位二极管、3V微型计算机系列兼容输入和宽工作温度范围(Ta = –40 至 +85°C)。该产品可应用于3V微型计算机系列的输出和与高压系统的接口。

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M63826P/FP/GP是一款7通道，500mA，带钳位二极管的达林顿晶体管阵列。该器件采用NPN三极管，能够在极低的输入电流供应下提供高电流驱动。并且，该系列器件增加了225mil（GP）封装。M63826P和M63826FP具有与M54526P和M54526FP相同的引脚连接（兼容M54526P和M54526FP）。此外，M63826P和M63826FP的功能与M54526P和M54526FP相同或更高。

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M63827WP/DP是7管集成的达林顿晶体管阵列，内含NPN晶体管，输入电流极低，即可实现大电流驱动。

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M63828WP/DP是7通道达林顿晶体管阵列，具有钳位二极管。该电路由NPN晶体管组成。这两款半导体集成电路以极低的输入电流提供高电流驱动。

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m63830p/fp是mitsubishi生产的一款4通道sinkdriver，具有高击穿电压、高电流驱动、3v微计算机系列兼容输入、带钳位二极管、带输入二极管和宽工作温度范围等特点。

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M63832GP/KP 7-channel sinkdriver，是一款具有高电流增益的七个驱动器对的PNP和14个NPN晶体管组成的7单元500mA达林顿晶体管阵列。

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M63834FP/KP是8通道NPN和PNP高电流增益驱动器阵列，带输入二极管。

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M63836FP/KP是一种8通道的汇流器，由8个PNP和16个NPN晶体管组成，可以直接驱动3电压微型计算机系列。具有高击穿电压、高电流驱动、3V微型计算机兼容输入、输入二极管、夹紧二极管等特点。

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M63840P/FP/KP是一种具有8个电路的单元，采用输入反相器和电流源输出。输出由PNP晶体管和NPN达林顿晶体管组成。输入具有10kΩ的电阻，可应用最高15V的电压。输出电流最大为500mA。供电电压VS最大为40V。M63840FP/KP采用模塑小型扁平封装，节省空间。具有输出钳位二极管和宽工作温度范围（Ta=-40～+85℃）。

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M63850P/FP是一款4通道N沟道DMOS晶体管阵列，额定漏源电压为80V，额定漏源电流为1.5A。

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M81016是8通道D触发器驱动器，具有高达40V的击穿电压和200mA的漏极输出电流。它具有一个通用的直接清除输入和一个通用的时钟输入，8个相同电路单元由D触发器逻辑电路和高电压NchMOS输出晶体管组成。该电路用于LED驱动。

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该数据表是MITSUBISHI SEMICONDUCTOR产品PS21562-P的规格书

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PS21563-P是一款600V/10A低损耗的5代逆变桥，用于三相DC-to-AC电力转换。适用于小功率电机控制的AC100V~200V逆变器驱动。

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