ROHM说明书大全
ROHM US6M1 说明书
US6M1 Transistors Rev.B是一种具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装的硅N沟道/ P沟道MOSFET。它适用于电源开关和DC / DC变换器。
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ROHM US5U1 Data Sheet
US5U1 Nch+SBD MOSFET是安森美半导体推出的一款低压驱动MOSFET器件，具有高开关速度、低导通电阻、低压驱动、内置低VF肖特基二极管等特点，适用于开关电源应用。
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ROHM US5U2 Data Sheet
该文件介绍了US5U2 Transistors Rev.B 1/4 4V Drive Nch+SBD MOSFET的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、4V驱动和内置低VF肖特基二极管。
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ROHM US5U3 说明书
US5U3 是一种高压、低压驱动、低压降、高开关频率的 Nch+SBD MOSFET 器件。该器件采用 TUMT5 封装，内置低 VF 肖特基二极管，可广泛应用于开关电源、DC/DC 转换器、LED 驱动、电机驱动等领域。
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ROHM US5U38 说明书
US5U38 Transistor是一种结构为硅P通道MOSFET带有肖特基势垒二极管的产品。它具有低导通电阻、快速开关速度和低电压驱动等特点。适用于开关应用。
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ROHM US6U37 说明书
US6U37是2.5V驱动Nch+SBD MOSFET，具有高速度开关、低导通电阻、低电压驱动、内置低VF肖特基二极管等特点，适用于开关应用。
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ROHM US6X7 说明书
US6X7 是 ROHM 推出的一款 NPN 型通用放大器，最大集电极电流可达 1.5A，集电极-发射极饱和电压低，最大只有 200mV，适用于低频放大应用。
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ROHM US6X8 说明书
US6X8 Transistors Rev.C是一种通用放大器，适用于低频放大。它具有大的集电极电流和低的集电极饱和电压。其尺寸为ROHM：TUMT6，标志为X08。最大工作温度为150°C。
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ROHM UMF6N 说明书
该文档介绍了UMF6N Transistors Rev.B 1/5功率管理电路的特点和特性，使用了2SA2018和2SK3019两种独立封装在UMT封装中的双晶体管。
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ROHM UMF9N 说明书
UMF9N 是 ROHM 推出的一款双晶体管电源管理芯片，其封装形式为 UMT6，兼容 EIAJ SC-88 标准。该芯片采用 Si 单晶平面工艺制造，具有输入输出电压范围广、功率损耗低等特点，适用于各种电源管理电路。
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ROHM UMF28N 说明书
UMF28N是一种功率管理电路，内置2SA1774和DTC124XE两种双晶体管，采用UMT封装。它具有功率开关电路和封装紧凑的特点，可节省安装成本和空间。
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ROHM UMG8N 数据手册
EMG8/UMG8N是ROHM推出的一款双NPN数字晶体管，封装采用EMT5/UMT5，集成了两个DTC143Z芯片，安装成本和面积可以减少一半。
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ROHM RPM5300 series 说明书
RPM5300系列是接收红外线信号的模块，有Top view package和Side view package两种封装方式，使用“the Dual Receiving Lens”可以达到和普通发光二极管红外接收器一样的高灵敏度。
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ROHM 2SA1579/2SA1514K/2SA1038S 说明书
该文件介绍了2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S三种高压放大晶体管的特点和特性，如高击穿电压、与其他晶体管的互补性等。
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ROHM 2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029 / 2SA933AS 数据手册
该文档介绍了一些通用用途的晶体管产品，包括2SA1037AK、2SA1576A、2SA1774、2SA2029和2SA933AS。这些晶体管具有优秀的hFE线性特性，与其他互补的晶体管型号（如2SC2412K、2SC4081、2SC4617、2SC5658和2SC1740S）配对使用。文档中还提供了各个型号晶体管的外部尺寸信息。
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ROHM 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S 数据手册
2SA1036K/2SA1577/2SA854S是松下生产的中功率晶体管，最大额定电压32V，最大电流0.5A，适用于低电压低功率场合。
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