ROHM说明书大全

DTB543ZE / DTB543ZM 是东芝推出的一款低 VCE (sat) 数字晶体管，具有内置偏置电阻。

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DTB543XE / DTB543XM 是东芝推出的一款低 VCE (sat) 数字晶体管，具有内置电阻，适用于逆变器、接口和驱动等应用场合。

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DTB543EE / DTB543EM 是东芝推出的一款数字晶体管，其特点是 VCE（sat）低于传统产品，内置偏置电阻可以无需连接外部输入电阻（参见等效电路）配置反相器电路，偏置电阻采用绝缘薄膜电阻，可以实现输入正偏，并且几乎完全消除了寄生效应。

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本文档介绍了ROHM公司生产的DTB523YE / DTB523YM数字晶体管的特点和应用领域，并提供了产品的尺寸和结构信息。该产品具有低VCE (sat)和内置电阻的特点，适用于逆变器、接口和驱动器等应用。

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DTB513ZE / DTB513ZM是安森美半导体推出的一款PNP型数字晶体管，其特点在于VCE（sat）较常规产品低，并且内置偏置电阻，无需外接输入电阻即可构建逆变电路，从而简化了器件设计。

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DTB143EK是一款数字晶体管，可实现无外置输入电阻的逆变电路。该器件的输入端有内置偏置电阻，可实现正偏置输入。该器件具有优异的寄生效应消除效果，仅需设置开/关状态即可轻松实现器件设计。

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DTB123YU/DTB123YK是ROHM公司生产的一款数字晶体管，具有内置偏置电阻，能够实现无需外接输入电阻的反相器电路。该晶体管采用PNP结型平面硅晶体管结构，封装类型有SMT3和UMT3两种。

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DTB123EK是ROHM公司生产的一种数字晶体管，具有内置偏置电阻，可构成无需连接外部输入电阻的逆变电路。

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该数据手册介绍了ROHM公司的DTB114EK PNP数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）的产品特点和规格。该晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可构建反相电路。

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DTB113ZK是ROHM推出的一款数字晶体管，具有-500mA / -50V的额定电流和电压。该晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。该晶体管的结构是PNP型硅晶体管，封装类型为SMT3。

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DTB113EK 是 ROHM 推出的一款数字晶体管，采用 SMT3 封装，带有内置电阻，应用于逆变器、接口、驱动等场景

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该数据表提供了DTC015T系列NPN 100mA 50V数字晶体管的特性参数。该系列晶体管具有内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。

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2SD1383K是ROHM公司生产的高增益放大器晶体管，最大集电极-发射极电压为32V，最大集电极电流为0.3A。2SD1383K具有以下特点：1、达林顿连接，大电流增益高；2、内置4kΩ电阻，在基极和发射极之间；3、与2SB852K互补。

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2SD1757K是三极管，具有低Vce(sat)特性，适用于静音场合。

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2SD1781K Transistors 是一种中功率晶体管，额定电压为 32V，电流为 0.8A。该晶体管具有非常低的 VCE(sat)，典型值为-0.1V(IC / IB= 500mA / 50mA)，高电流容量，紧凑的封装。

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2SD1782K 是 ROHM 生产的 NPN 硅晶体管，其特点是 VCE(sat) 低，VCEO 高，可用于 80V 电压电路。

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2SD1834是一种中功率晶体管，额定电压为60V，额定电流为1A。它具有高直流电流增益（典型值，直流电流增益为15000，Vce=3V，IC=0.5A）和高输入阻抗。

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该文件介绍了ROHM公司的2SD1898和2SD1733功率晶体管。这些晶体管具有高VCEO和IC、良好的hFE线性和低的VCE (sat)。它们适用于各种应用。

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该文件介绍了ROHM公司的一款功率晶体管产品，型号为2SD1918 / 2SD1857A，特点包括高击穿电压、低集电极输出电容、高过渡频率，适用于与2SB1275互补使用。

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2SD1949/2SD1484K是一款50V，0.5A的中功率晶体管。它的主要特点是高电流和低饱和电压。

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