ROHM说明书大全
ROHM US6T4 说明书
US6T4晶体管是罗姆半导体推出的一款低频放大器驱动器，其特点是集电极电流较大，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))最大可达-250mV。
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ROHM US6T6 Data Sheet
该文件介绍了US6T6型号晶体管的特点和特性，主要用途是低频放大器和驱动器。该型号晶体管具有较大的集电流和低的集电极饱和电压。
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ROHM US6T7 说明书
该文件是关于US6T7晶体管的说明。US6T7是一款低频放大器，适用于驱动低频放大器。其特点是集电流较大，并且在IC = -1A / IB = -50mA条件下，VCE（sat）的最大值为-370mV。
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ROHM US6T5 Data Sheet
US6X5 是 ROHM 公司生产的一款低频功率晶体管，其最大集电极电流可以达到 2A，最小饱和压降可以达到 370mV。
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ROHM US6X6 说明书
该文档介绍了US6X6 Transistors Rev.B 1/2低频放大器的特点和特性，包括大的集电流、最大350mV的饱和电压等。
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ROHM UM6J1N 说明书
该文件介绍了ROHM Co., Ltd.的4V Drive Pch MOSFET UM6J1N的特点和特性，包括两个RSU002P03晶体管在单个UMT封装中的独立性、减少安装成本和面积等。
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ROHM US6K4 说明书
US6K4是Toshiba公司生产的一款1.8V驱动Nch+Nch MOSFET，具有高转速开关、低开启电阻的特点，适用于开关应用场景。
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ROHM US6M11 说明书
该文件介绍了ROHM公司的1.5V驱动Nch+Pch MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低电压驱动、内置G-S保护二极管等。适用于内部电路开关等应用。
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ROHM US6M1 说明书
US6M1 Transistors Rev.B是一种具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装的硅N沟道/ P沟道MOSFET。它适用于电源开关和DC / DC变换器。
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ROHM US5U1 Data Sheet
US5U1 Nch+SBD MOSFET是安森美半导体推出的一款低压驱动MOSFET器件，具有高开关速度、低导通电阻、低压驱动、内置低VF肖特基二极管等特点，适用于开关电源应用。
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ROHM US5U2 Data Sheet
该文件介绍了US5U2 Transistors Rev.B 1/4 4V Drive Nch+SBD MOSFET的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、4V驱动和内置低VF肖特基二极管。
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