Fairchild说明书大全

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FCH47N60NF是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款600V N-Channel MOSFET，具有RDS(on) = 57.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 23.5A, Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 121nC), Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特性

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FCH76N60N 600V N-Channel MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款高性能 MOSFET 产品，采用了深槽填充工艺，具有 600V 的最大电压、36mΩ 的导通电阻，100% 的雪崩测试和 RoHS 认证。

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FCH76N60NF是Fairchild公司的600V N沟道MOSFET，采用FRFET技术，具有低导通电阻、低栅极电荷、低有效输出电容等特点，通过100%的雪崩测试，符合RoHS标准。

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该文件是关于FCI25N60N_F102型号MOSFET的特性介绍，包括最小导通电阻、极低栅极电荷、低有效输出电容等。

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FCI7N60 600V N-Channel MOSFET 是一款由美国Fairchild公司研发的新型高压MOSFET，具有 650V@TJ = 150°C、典型RDS(on) = 0.53Ω、超低栅极电荷（典型Qg = 25nC）和低有效输出电容（典型Cosseff. = 60pF）等特点。

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FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET。它具有低导通电阻（Typ. RDS(on) = 0.32Ω）、快速恢复时间（trr = 120ns）、超低栅极电荷（typ. Qg = 40nC）、低有效输出电容（typ. Cosseff.=95pF）等特点，非常适用于各种AC/DC电源转换。

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该文件介绍了 Fairchild 公司的 SupreMOS TM FCP11N60N / FCPF11N60NT N-Channel MOSFET 产品的特点和特性，包括最大电压、最大电流、低电阻等。

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FCP13N60N / FCPF13N60NT N-Channel MOSFET，采用深沟填充工艺，具有低RDS(on)、超低栅极电荷、低有效输出电容等特性，符合RoHS标准。

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FCP16N60N/FCPF16N60NT N-Channel MOSFET是一款600V、16A、0.170Ω的超低阻抗功率MOSFET。

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FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET 是一款由美国飞利浦半导体公司生产的 600V N 沟道 MOSFET 器件，其最大漏源电压为 600V，最大栅源电压为 ±20V。该器件的额定漏源电流为 20.2A，在 100°C 工作时最大漏源电流为 12.7A。该器件支持脉冲工作，最大脉冲漏源电流可达 60.6A。该器件还支持雪崩击穿，最大雪崩能量为 400mJ，最大雪崩电流为 4A。

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FCP22N60N / FCPF22N60NT N-Channel MOSFET是一款高压超级结MOSFET，具有超低栅极电荷和低有效输出电容，适用于PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源应用。

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FCP36N60N N-Channel MOSFET是一款600V、36A、90mΩ的SupreMOSTM MOSFET。它具有RDS(on) = 81mΩ (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A、超低栅极电荷（典型值Qg = 86nC）、低有效输出电容和100%的雪崩测试等特点。

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FCP380N60 / FCPF380N60 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款 N-Channel MOSFET，具有 650V @TJ = 150°C 的最大额定电压，最大 RDS(on) = 380mΩ 的导通电阻，极低的栅极电荷（典型 Qg = 30nC）和低有效输出电容（典型 Coss.eff = 95pF）。

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这份应用笔记描述了FAN6982控制器的应用原理和设计过程

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本文介绍了使用FAN480X控制器设计电源的步骤和考虑事项。FAN480X结合了PFC控制器和PWM控制器。PFC控制器采用平均电流模式控制，在前端使用CCM提升变换器。PWM控制器可用于下游变换器的电流模式或电压模式。在电压模式下，可以利用来自PFC输出母线的前馈来改善PWM阶段的线路瞬态响应。无论是哪种模式，PWM阶段都使用传统的尾随边沿占空比调制，而PFC使用前沿调制。这种专有的前沿/尾随边沿调制技术可以显著减小PFC输出电容器的纹波电流。PWM与PFC的同步简化了PWM补偿，因为PFC输出电容器（PWM输入电容器）上的纹波受到控制。除了功率因数校正外，FAN480X还内置了一些保护功能，包括可编程软启动、PFC过压保护、脉冲逐周期电流限制、断电保护和欠压锁定。FAN4801/2/2L具有可编程的两级PFC输出，以提高效果。

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该用户指南支持FAN9611/12 400W评估板，用于交错边界导通模式功率因数校正电源。它应与FAN9611/12数据表以及Fairchild应用说明AN-6086 Design Considerations for Interleaved Boundary-Conduction Mode PFC Using FAN9611 / FAN9612一起使用。虽然标记为FAN9612，但评估板在功能上与FAN9611完全相同。

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FPF200X EVM 是 Fairchild Semiconductor FPF2000 智能负载开关系列的评估模块。FPF200X 系列是一款 0.7 欧姆 PMOS 负载开关，具有受控的开启、快速关闭和电流限制。在 1.8V 至 5.5V 的输入电压范围内，电流限制可保证为 50mA 和 100mA。评估模块具有测试点，方便访问所有引脚和跳线，用于设置各种负载条件，以及用于切换 ON/OFF 并配置 ON 引脚极性的开关。该电路板可以作为一个独立单元，配有 1.8-5.5V 电池，用于测试基本功能。

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