Fairchild说明书大全

FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。

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The FDN372S is a 30V N-channel power trench SyncFET™ MOSFET designed to maximize power conversion efficiency with low Rds(on) and low gate charge. It is ideal as a low side switch in a synchronous converter.

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FDMS3668S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道MOSFET，其特点是低压降和低导通电阻，适用于计算机、通信、通用用途点负载和笔记本电脑等应用。

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FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET，最大RDS(on)为23mΩ，最大ID为22A，典型Qg为31nC。该产品适用于高频DC-DC转换器应用。

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FDMS3686S PowerTrench® Power Stage是一款双向N通道MOSFET，具有低RDS(on)、低封装电感和优化的布局，可提供更高的功率效率。

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FDMS4435BZ是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制造，具有极低的导通电阻。适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

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该文档是FDMS5352 N-Channel Power Trench® MOSFET的datasheet，介绍了其特点特性，包括最大电压、最大电流、最大导通电阻、最小导通电阻、应用场景等。

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该文件介绍了FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大rDS(on)、最大Qg、低Miller电荷和在高频率下的优化效率。

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The FDMS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET is a high-performance device designed for use in load switch applications. It features an advanced package and silicon combination for low rDS(on), and an HBM ESD protection level of 8 kV typical.

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该文件介绍了2009年5月发布的FDMS6681Z P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大电阻、高ESD保护等。

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FDMS7556S N-Channel Power Trench® SyncFETTM是一款低rDS(on)和高效率的MOSFET。它具有1.2 mΩ的最大rDS(on)和高效的单片Schottky体二极管。它适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效DC-DC开关模式电源。

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FDMS7558S N-Channel PowerTrench®SyncFET是一款具有低rDS(on)和高效率的开关器件，适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效率DC-DC开关电源等应用

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该文件介绍了FDMS7560S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM的特点，包括最大导通电阻、先进的封装和硅材料组合、同步斯科特基二极管等。

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FDMS7572S N-Channel PowerTrench®SyncFET是一款高效率、低功耗的N沟道MOSFET，最大导通电阻为2.9mΩ，额定电压为25V，额定电流为49A。该器件采用先进的硅和封装技术，具有优异的开关性能和低导通电阻。

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FDMS7578 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种25V、5.8 mΩ的功率晶体管。其采用先进的封装和硅材料结合，具有低rDS(on)和高效率的特点。此外，它还采用了下一代增强型体二极管技术，具有软恢复的特性。该产品主要适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，以提高整体效率并减小开关节点的振铃。它经过了优化，具有低门电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反恢复性能。

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FDMS7580 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款具有25V、7.5 mΩ低导通电阻的优质MOSFET，适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器。

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该文件介绍了FDMS7600AS Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大电阻、最大电流等信息。

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FDMS7602S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压为30V，额定电流为30A，最大漏源电阻为7.5mΩ。

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FDMS7606是一款N通道MOSFET，具有30 V、12 A、11.4 mΩ的Q1和30 V、22 A、11.6 mΩ的Q2。它具有低导通电阻、高功率效率、RoHS合规性等特点。

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