Fairchild说明书大全

FDML7610S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道功率MOSFET，额定工作电压为30V，额定电流为30A。最大导通电阻为7.5mΩ。

文件类型: PDF 大小:472 KB

FDME910PZT P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低封装高度的MOSFET，适用于电池充电或负载开关等应用。

文件类型: PDF 大小:267 KB

该文档介绍了FDME905PT P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大导通电阻、低电阻MOSFET、微型封装以及符合RoHS标准等。

文件类型: PDF 大小:248 KB

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。

文件类型: PDF 大小:250 KB

该文件介绍了FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、低外形高度、无卤化合物和锑氧化物、静电保护等。

文件类型: PDF 大小:249 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。

文件类型: PDF 大小:307 KB

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

文件类型: PDF 大小:264 KB

FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

文件类型: PDF 大小:234 KB

FDMC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款30V，15A，19mΩ的功率管。它采用Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process制造，具有极低的rDS(on)。该管子适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。

文件类型: PDF 大小:353 KB

FDMC8882 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率管理和负载开关应用

文件类型: PDF 大小:340 KB

FDMC8878 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道功率晶体管，具有30V、16.5A、14mΩ的特点。

文件类型: PDF 大小:245 KB

FDMC8854是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、低封装高度和RoHS兼容性。

文件类型: PDF 大小:200 KB

该文件介绍了FDMC86520L N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低电压和高电流下的性能等。

文件类型: PDF 大小:254 KB

FDMC8651是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是低阻抗和低门极电阻，适用于DC/DC转换器、同步整流器等应用场合

文件类型: PDF 大小:301 KB

FDMC86324是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel Power Trench® MOSFET，额定电压80 V，最大电流20 A，导通电阻23 mΩ。该器件具有低剖面（1 mm max in Power 33）、100% UIL测试和RoHS合规等特点。

文件类型: PDF 大小:300 KB

FDMC86320 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低门极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能，适用于DC/DC转换器、电机桥开关和同步整流器等应用

文件类型: PDF 大小:352 KB

该文档介绍了一种高击穿电压、快速开关速度的表面贴装包装器件，具有紧凑的尺寸和高功率耗散能力。此外，该器件具有低电容和快速反向恢复时间的特点。

文件类型: PDF 大小:21 KB

该文件是关于Fairchild Semiconductor的MMSD4148型号产品的绝对最大额定值和电气特性的说明。该产品具有紧凑的表面贴装封装，功耗为400毫瓦，具有高击穿电压和快速开关速度等特点。

文件类型: PDF 大小:21 KB

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的MMSD3070小信号二极管的绝对最大额定值、电气特性和热特性。该二极管具有200V的最大重复反向电压和200mA的平均整流正向电流。此外，该文件还提供了该产品的功耗、热阻、击穿电压、正向电压、反向电流、总电容和反向恢复时间等参数。

文件类型: PDF 大小:68 KB