Fairchild说明书大全
FAIRCHILD KST2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST2222A 是 NPN 型三极管，最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-发射极反向电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6 V，最大集电极电流为 600 mA，最大集电极功耗为 350 mW。
文件类型: PDF 大小:180 KB
FAIRCHILD KST2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型NPN三极管，其最大电流为-600mA，最大功率为350mW，工作温度范围为-55~150℃。
文件类型: PDF 大小:55 KB
FAIRCHILD KST3904 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
这份文档介绍了KST3904型号的NPN外延硅晶体管的特点和特性。
文件类型: PDF 大小:107 KB
FAIRCHILD KST3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST3906是Fairchild公司生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为-40V，最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-200mA，最大集电极功耗为350mW，最大储存温度为150℃。
文件类型: PDF 大小:108 KB
FAIRCHILD KST4401 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST4401是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极-基极电压为60V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA，最大集电极功耗为350mW，存储温度为150℃。
文件类型: PDF 大小:56 KB
FAIRCHILD KST4403 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
该文件介绍了KST4403 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括其工作电压、电流、功率耗散和温度范围等。此外，还提供了其基本参数，如集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、基极截止电流、集电极截止电流、直流电流增益、饱和电压、频带宽度乘积、输出电容和开关时间等。
文件类型: PDF 大小:58 KB
FAIRCHILD KST5086/5087 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
本手册提供 KST5086/5087 低噪声 PNP 晶体管的特性和使用信息。
文件类型: PDF 大小:58 KB
FAIRCHILD KST5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST5401是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型高压晶体管。它具有-160V的最大集电极-基极电压、-150V的最大集电极-发射极电压、-5V的最大发射极-基极电压、-500mA的最大集电极电流和350mW的最大集电极功耗。它可以在150℃的存储温度下工作。
文件类型: PDF 大小:57 KB
FAIRCHILD KST55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST55/56是Fairchild公司生产的PNP型电晶体，其最大集电极-发射极电压为-60V/-80V，最大集电极-发射极饱和电压为-60V/-80V，最大集电极电流为-500mA，最大集电极功耗为350mW，最大工作温度为150℃，其封装形式为SOT-23。
文件类型: PDF 大小:45 KB
FAIRCHILD KST5550 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2002年推出的KST5550 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高电压特性和较高的直流电流增益。
文件类型: PDF 大小:57 KB
FAIRCHILD KST5551 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST5551是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为160伏，最大集电极电流为600毫安，最大功率耗散为350毫瓦。
文件类型: PDF 大小:45 KB
FAIRCHILD KST92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书
KST92/KST93 是FAIRCHILD生产的PNP型电晶体，具有高电压、高电流、宽SOA特性。
文件类型: PDF 大小:111 KB
FAIRCHILD MMBT2222AT NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书
MMBT2222AT是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种NPN结型硅晶体管。它是一款通用放大器晶体管，适用于所有类型的超小型表面贴装封装。它还可用于一般开关和放大应用。
文件类型: PDF 大小:137 KB
FAIRCHILD MMBT2369 NPN Switching Transistor 说明书
MMBT2369 / PN2369是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN开关晶体管，该晶体管的特点是能够在10mA到100mA的集电极电流下实现高速饱和开关。
文件类型: PDF 大小:122 KB
FAIRCHILD PN2369A/MMBT2369A NPN Switching Transistor 数据手册
PN2369A MMBT2369A是Fairchild生产的一款NPN开关晶体管，适用于10mA到100mA的饱和开关电流
文件类型: PDF 大小:750 KB
FAIRCHILD PN2484/MMBT2484 NPN General Purpose Amplifier 数据手册
PN2484/MMBT2484是Fairchild生产的一款NPN型通用放大器，适用于从1µA到50mA的电流范围，具有低噪声和高增益的特点。
文件类型: PDF 大小:451 KB
FAIRCHILD PN3640/MMBT3640 PNP Switching Transistor 数据手册
PN3640是用于高速饱和开关的PNP晶体管，最大集电极电流为100mA。
文件类型: PDF 大小:689 KB
FAIRCHILD MMBT3646 Switching Transistor 数据手册
MMBT3646是Fairchild Semiconductor制造的一种双极结型晶体管。该晶体管具有15 V的VCEO、40 V的VCES、40 V的VCBO和5 V的VEBO。它可以承受的最大电流为300 mA，最大功率为625 mW。该晶体管的额定工作温度为150°C。
文件类型: PDF 大小:48 KB
FAIRCHILD MMBT3904SL NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册
MMBT3904SL是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型三极管，适用于一般开关和放大，最大封装高度0.43mm，可做为PNP MMBT3906SL的互补型
文件类型: PDF 大小:142 KB