Fairchild说明书大全

FQA90N08是一款80V N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、100%的雪崩测试及改进的dv/dt能力。

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该文件介绍了FQA8N90C_F109型号的900V N-Channel MOSFET产品的特点，包括8A的电流、1.9Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关等特性。

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FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET 是一款低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进dv/dt 能力的 MOSFET。

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该文件介绍了FQA7N80C_F109 800V N-Channel MOSFET的特点和特性，如低门电荷、快速开关和改进的dv/dt能力等。

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该文件介绍了QFET，它是一种用于电力电子系统的新型功率器件。QFET具有高开关速度、低导通电阻、高耐压和宽禁带等优点，有望在电力电子系统中得到广泛应用。

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这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International所生产的FQA70N10 N-Channel MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、卓越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQA6N90C_F109 900V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括6A的电流、900V的电压、低的门电荷和Crss、快速开关、100%的avalanche测试和改进的dv/dt能力。

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这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA65N20 QFET TM FQA65N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的可靠性。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

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FQA62N25C是Fairchild公司生产的250V N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V，低门极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，改进的dv/dt能力。

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本文档主要介绍了QFET QFET QFET QFET的特点和优势

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FQA46N15是Fairchild推出的一款150V N通道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.042Ω@VGS=10V、低栅极电荷(典型值为85 nC)、低Crss(典型值为100pF)、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值

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2N7052 / 2N7053 / NZT7053是一种NPN达林顿晶体管，适用于需要极高增益和高击穿电压的应用。它可以承受1.0A的集电极电流。

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该文件介绍了QFET QFET QFET QFET的产品特性，包括品牌、型号、功率、电压、频率等信息

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该文件介绍了2N7051 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它包括了集电极-发射极电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极电流、存储温度等参数。

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本文件介绍了QFET的概述、主要特点和优势，并提供QFET在通信网络、计算机存储器等领域的应用案例。

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FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高效、快速开关的P通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，在提高开关速度、降低导通电阻和承受高能脉冲的同时，还能提高dv/dt能力。

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FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型N沟道功率场效晶体管，采用Fairchild专有的平面DMOS技术，具有低导通电阻、出色的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。

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该文件介绍了FQA28N15型号的N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有较低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效DC/DC转换器的开关和直流电机控制，以及不间断电源。

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该文件介绍了QFET产品的特点和特性。

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