松下说明书大全

2SK1104是Toshiba公司生产的一款N沟道结型场效应晶体管,具有低导通电阻、低噪声特性

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2SK1103是日本东芝公司生产的一款N沟道硅结晶场效应晶体管，其特点是低导通电阻和低噪声特性。

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2SK0665(2SK665) 是日本富士通公司生产的一款高性能小信号N沟道MOSFET，具有高开关速度、高输入阻抗和高静电击穿电压等特点。本数据手册详细介绍了该器件的特性参数，供设计人员参考。

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2SK0664 (2SK664) 是一款高性能硅N沟道MOS晶体管，用于开关电路。该晶体管具有高开关速度和S-mini型封装，可实现电路小型化和自动插入。

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2SK0662是东芝生产的一款N沟道硅结晶场效应晶体管，主要用于低频放大，具有高互导率和低噪声等特点。

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该文档介绍了2SK0657 (2SK657)硅N-沟道MOS FET的特点和特性，包括高速开关、易于安装和固定等。

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2SK0656 (2SK656) 是东芝生产的N沟道MOSFET晶体管，其特点是高开关速度、低驱动电流和高静电击穿电压。

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这份文件介绍了2SK0620 (2SK620)硅N通道MOS FET的特点和特性，包括高速开关和小型封装等。

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2SK0615(2SK615)是东芝半导体推出的一款低压小型场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、可以由CMOS和TTL直接驱动等特点。

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2SK0614是低压小功率N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度和可以直接由CMOS和TTL驱动的特点。

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该文件介绍了2SK601硅N沟道MOS FET的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关和可直接由CMOS和TTL驱动等。该产品适用于开关应用，具有小型封装和自动插入功能。

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2SK0301 (2SK301) 是松下生产的一款硅N通道结型场效应晶体管，具有低噪声、高增益、高门极至漏极电压 VGDO 等特点。该晶体管主要应用于低频放大和开关电路。

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2SK0198是松下生产的一款N沟道结型场效应晶体管，具有高互导率和低噪声特性。它采用迷你型封装，可实现小型化和自动插入。

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2SK0065 (2SK65) 是三洋电机生产的一款低噪声硅N沟道结型场效应晶体管，用于低频阻抗转换和电容麦克风。

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2SD2457 是日本三洋电机生产的一款硅NPN结型晶体管，主要用于低频功率放大。该晶体管具有高集电极至发射极电压VCEO和大集电极功耗PC的特点。它采用Mini Power封装，允许设备缩小尺寸，并通过卷绕包装和杂志包装进行自动插入。

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该文件介绍了2SB950和2SB950A这两款功率晶体管的特点和特性，包括高前向电流传输比hFE、高速开关和全封装包装等。这两款晶体管是用于功率放大和开关的，与2SD1276和2SD1276A互补使用。

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2SC2405, 2SC2406是硅NPN结型场效应晶体管，具有低噪声电压和高电流传输比，适用于低频和低噪声放大，与2SA1034和2SA1035互补

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本手册介绍了松下先进混合系统KX-TA824的功能特点，包括内置语音留言、语音邮件集成、本地运营商语音邮件服务等。

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2SK374是东芝公司生产的一款N沟道小信号晶体管，该晶体管具有低噪声系数和高栅极到漏极电压，适用于低频放大和开关应用。

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2SK0665是东芝生产的一款小信号N沟道MOSFET，具有高开关速度、低驱动电流和高静电击穿电压等特点。

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