飞利浦说明书大全
PHILIPS BZT03 series Voltage regulator diodes 数据手册(1)
该文件介绍了BZT03系列电压稳压二极管的特点和特性，包括玻璃封装、高最大工作温度、低漏电流、优异的稳定性等。可用于查询BZT03系列供应商。
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PHILIPS BZT03 series Voltage regulator diodes 数据手册
该文档介绍了BZT03系列电压稳压二极管的特点和特性，包括玻璃封装、高工作温度、低漏电流、优良的稳定性等。该系列产品的稳压电压范围为7.5至270V，抑制瞬态电压范围为6.2至430V。
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飞利浦 BZB984 series 数据手册
该文件介绍了BZB984系列电压调节双二极管的特点和特性，包括最大功率耗散、VZ容差、超小封装等。该产品适用于一般调节功能和ESD和浪涌保护。
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PHILIPS BZB784 series Voltage regulator double diodes 数据手册
BZB784系列是低功耗的稳压二极管，采用SOT323(SC-70)封装。
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PHILIPS BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor 数据手册
BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor是一款由Philips Semiconductors生产的NPN型晶体管，封装类型为SOT223，主要应用于MATV应用。
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PHILIPS BFG94 NPN 6 GHz wideband transistor 数据手册
BFG94是Philips Semiconductors生产的一款NPN 6 GHz wideband transistor，具有高功率增益、低噪声系数和低互调失真。它采用SOT223封装，主要用于通信和仪器系统。
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PHILIPS BFG92A/X NPN 5 GHz wideband transistor 数据手册
BFG92A/X是飞利浦半导体生产的一款NPN型双发射极5GHz宽带晶体管，它具有高功率增益和低噪声系数，适用于UHF和微波范围内的宽带应用。
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PHILIPS BFG92A/X NPN 5 GHz wideband transistor 数据手册
BFG92A/X是飞利浦半导体推出的一款NPN 5 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、金属化确保了卓越的可靠性等特点。应用于UHF和微波范围的宽带应用。
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PHILIPS BFG67W BFG67W/X; BFG67W/XR NPN 8 GHz wideband transistor 数据手册
BFG67W是菲利普半导体生产的一款NPN 8 GHz宽带晶体管，具有高功率增益和低噪声特性，适用于模拟卫星电视系统和便携式射频通信设备等应用。
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PHILIPS BFG67; BFG67/X; BFG67/XR 数据手册
该文件介绍了BFG67系列NPN 8 GHz宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪音系数、高过渡频率和金属化工艺带来的可靠性。该系列产品适用于卫星电视调谐器和便携式射频通信设备等GHz范围的宽带应用。
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PHILIPS BFG591 数据手册
该文档介绍了BFG591 NPN 7 GHz宽带晶体管的特点特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化工艺确保良好的可靠性。该产品适用于MATV或CATV放大器和射频通信设备等GHz范围的应用。
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PHILIPS BFG590 BFG590/X 数据手册
该文档介绍了BFG590和BFG590/X型号的NPN 5 GHz宽带晶体管的特点，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化保证可靠性。适用于MATV/CATV放大器和GHz范围内的射频通信用户设备，适用于具有脉冲或连续驱动的A类、AB类和C类放大器。
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飞利浦 BFG541 数据手册
Philips BFG541 NPN 9 GHz wideband transistor, features high power gain, low noise figure, high transition frequency, gold metallization ensures excellent reliability
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飞利浦 BFG540W BFG540W/X BFG540W/XR 数据手册
BFG540W是一款NPN 9 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数和高转换频率，适用于射频前端宽带应用，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话(CT2、CT3、PCN、DECT等)、雷达探测器、寻呼机、卫星电视调谐器(SATV)、MATV/CATV放大器和光纤系统中的中继放大器。
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