三星说明书大全

此文件为韩国三星电子公司发布的512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata文件，包含了产品的一些AC特性不满足规范的问题，以及改善计划和解决方法。

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本手册为Fashion Feature LCD-Monitor Chassis LHA19PS Model 940Fn的服务手册，详细介绍了产品的特点特性、按键功能、使用说明等

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该文件是关于LPE19DS型号的三星显示器的服务手册

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KM681000E是SAMSUNG公司生产的低功耗CMOS静态RAM，支持各种工作温度范围，并有各种封装类型，可供用户灵活设计系统。该系列还支持低数据保留电压，可在低数据保留电流下进行电池备份操作。

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K4D64163H为67,108,864位超同步数据速率动态随机存储器，组织方式为4 x1,048,576 words by 16 bits，采用三星的高性能CMOS技术制造。同步功能和数据触发器允许极高性能，最高可达1.2GB/s/chip。I/O事务可以在时钟周期的两个边缘进行。可编程的工作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟使该器件可用于各种高性能存储系统应用。

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该文档是关于三星256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs DDR2 SDRAM DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC的规格说明书。

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本文档是关于SNV-5010网络摄像机的用户手册，介绍了该产品的特点和特性。

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该文件是关于MultiMediaCardTM规格的说明。它包含了该产品的版本历史、订购信息、功耗、操作特性等。该规格适用于三星电子的半导体闪存产品。

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该文件介绍了三款闪存产品，包括K9F5608R0DK9F5608D0D、K9F5608U0D和K9F5608X0D。文档提到了三款产品的规格和特性，并声明了可能会有变更。此外，文档还强调了这些产品不适用于生命支持、医疗等关键应用和军事应用。

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KM681000B系列是三星采用0.6微米CMOS工艺制造的低功耗CMOS静态随机存储器，支持各种工作温度范围，并具有多种封装类型，可灵活设计系统。该系列还支持低数据保留电压，电流低，可用于备用电池操作。

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该文件为SGH-T349手机的使用说明书，介绍了手机的基本功能、操作方法和注意事项。

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本规范定义了MultiMediaCard (MMC) 卡的物理特性、电气特性、操作特性和命令集。

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该文件是关于128Mb DDR SDRAM DDR SDRAM规格的版本历史和修改记录。文件介绍了DDR SDRAM的特点和性能。

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K4S64323LH是一种同步高速动态RAM，具有低功耗、高带宽和高性能的特点。它采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造，具有LVCMOS兼容、多路复用地址、四个存储区域、CAS延迟、突发长度、突发类型等特性。

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本文档为三星等离子电视的用户手册

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这份文件是关于DVD-R120/R121的说明手册。

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