三星说明书大全
三星 S3C2410X 32-Bit RISC Microprocessor Revision 1.2 USER'S MANUAL
该文档是关于S3C2410X 32位RISC微处理器的用户手册，介绍了该产品的技术资料和特性。
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SAMSUNG K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 数据手册
K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM is a 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.
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SAMSUNG K4S640832K 数据手册
K4S640832K是三星生产的一款64Mb同步动态随机存储器(DRAM)。该芯片采用K-die封装，支持x1、x4、x8和x16时钟倍频率。
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SAMSUNG K4S640832K 数据手册
本文件是关于K4S640832K Synchronous DRAM Rev. 1.1 February 2006 的技术规格说明书，包含了该产品的各种参数信息。
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SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)
该文件介绍了三星电子的SDRAM 64Mb H-die产品规格，包括不同接口和封装的型号，以及其高性能CMOS技术和同步设计的特点。
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SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1)
K4S640432H / K4S640832H / K4S641632H是Samsung Electronics生产的64Mb H-die CMOS SDRAM芯片。
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SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)
这是一个Multi-Chip Package MEMORY 64M Bit (4Mx16) Four Bank NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) UtRAM的技术手册，详细介绍了该产品的特点特性。
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SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)(1)
K5T6432YT(B)M是三星电子推出的一款64M位四通道NOR闪存和32M位UtRAM的多芯片封装内存。
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三星 K5P2880YCM - T085 数据手册(1)
该文档介绍了鼎好公司的K5P2880YCM - T085型号的多芯片封装存储器产品。该产品包含128M位（16Mx8）Nand闪存和8M位（1Mx8/512Kx16）全CMOS SRAM。闪存具有高速的编程和擦除性能，而SRAM则具有高容量和低功耗的特点。
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三星 K5P2880YCM - T085 数据手册
K5P2880YCM是三星公司生产的一款集成128Mbit Nand Flash和8Mbit full CMOS SRAM的Multi ChipPackage Memory，单电源供电3.0V，支持528-byte page program，16K-byte block erase，读取速率50ns。
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三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1)
K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。
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三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)
K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
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三星 K4S643232C 数据手册
该文档介绍了K4S643232C CMOS SDRAM产品的特性和特点，包括其存储容量、工作电压、操作频率范围、延迟时间可编程等。
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三星 K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书
K4S64163LH-R(B)E/N/G/C/L/F是三星生产的一种移动内存，它采用了高性能的CMOS技术，具有2.5V的电源供应、4个银行操作、MRS周期和EMRS周期等特点。
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三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)
K4S641633H是三星公司生产的一种带有动态随机存取内存（DRAM）的存储器，它具有3.0V和3.3V的供电电压，支持四个银行操作，支持1、2、3、4、8、Full Page等多种突发长度，还支持顺序和交错两种突发类型。该产品具有特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）和内部温度补偿自刷新（TCSR），并且支持DQM掩码和自动刷新。该产品的商业温度范围为-25°C至70°C，扩展温度范围为-25°C至85°C。该产品采用54Balls FBGA封装，引脚间距为0.8mm，带有引线（-RXXX）和无铅（-BXXX）两种封装类型。
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三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)
该文件介绍了K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括3.0V和3.3V电源供应、LVCMOS兼容性、四个存储区域操作、MRS和EMRS循环等。
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三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)
该文件介绍了鼎好公司的K4S56163LF型号移动SDRAM产品的特点。该产品采用2.5V电源供应，与多路复用地址兼容，具有四个存储区操作。该产品支持CAS延迟、突发长度和突发类型的设置，具有特殊功能支持，如部分阵列自刷新和温度补偿自刷新等。该产品适用于高带宽、高性能内存系统应用。
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三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)
该文档介绍了K4S56163LF型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括2.5V电源供应、LVCMOS兼容的多路复用地址、四个存储区操作、MRS循环和EMRS循环等功能。
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三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)
K4S56163PF为三星生产的268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织形式为4 x 4,196,304字节×16位，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确控制周期，并且可以在每个时钟周期进行I/O事务。可编程的操作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟允许同一设备在各种高带宽和高性能内存系统应用中使用。
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三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)(1)
K4S56163PF是三星公司生产的一种低功耗、高性能的同步动态随机存储器(SDRAM)，它采用了4 x 4,196,304字节×16位的高性能CMOS技术，可在-25°C~70°C的商业温度范围内工作，也可在-25°C~85°C的扩展温度范围内工作。
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