西门子说明书大全

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该文件介绍了半导体公司推出的NPN硅AF晶体管BCW 60和BCX 70的特点和特性。这些晶体管适用于AF输入级和驱动应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30 Hz至15 kHz之间的低噪声等特点。

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该文档介绍了半导体产品BAT 17的特点特性，包括其用途、最大额定参数和电气特性。

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BAT 15-098是一种低噪声硅肖特基二极管，可用于DBS混频器应用，最大反向电压为4伏，最大正向电流为110毫安，存储温度范围为-55至+150摄氏度，工作温度范围为-55至+150摄氏度，功耗为100毫瓦

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该文件介绍了T T1 HiRel Silicon Schottky Diode BAT 15 Semiconductor Group 1的特点和特性，适用于探测器和混频器应用，具有中等势垒，采用了密封微波封装，符合ESA/SCC Detail Spec. No.: 5106/014标准。

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本文档介绍了BAT15-04双硅肖特基二极管的订购代码、引脚配置、标志、封装信息以及最大额定值和电气特性。该产品适用于DBS混频应用，工作频率可达12 GHz，具有低噪声系数和低阻障类型。

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BAT 15-014 至 BAT 15-124 是低功耗、低雪崩结的硅肖特基二极管，为混频器应用而设计。它们采用密封的陶瓷封装，可用于高达 40 GHz 的频率。

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该文件介绍了Silicon Schottky Diodes BAT 15- ... S，这是一种静电敏感器件，需要注意处理预防措施。它具有低维度、高性能和低阻障特性。

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BAT 15-020R是德国Silabs公司生产的一款肖特基二极管，其最大额定电流为50mA，工作温度范围为-65℃至+150℃，封装形式为TO-220-3。

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该文档介绍了BAT 15- … D 硅肖特基二极管的特点和特性，包括ESD敏感性、最大额定值、反向电压、结温、正向电流、存储温度范围等。

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本文档介绍了Silicon Schottky Diodes BAT 14- … 4 G的特点和特性，适用于探测器和混频器应用，频率范围高达40 GHz。

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BAT 14-099是一种低噪声硅双肖特基二极管，适用于DBS混频器应用，工作频率可达12GHz。

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BAT14-098 是一种硅肖特基二极管，具有低噪声系数和中等屏障类型。它适用于 DBS 混频器应用，工作频率可达 12 GHz。该二极管的封装为 SOD-123，最大可承受 90 mA 的正向电流和 4 V 的反向电压。

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BAT 14-03W 是 BAT 公司的硅肖特基二极管，额定反向电压为 4 V，额定正向电流为 90 mA，工作温度范围为 -55 到 125 摄氏度，存储温度范围为 -55 到 150 摄氏度，最大功耗为 100 mW。

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The BAT 14- series are silicon Schottky diodes with a breakdown voltage of 4V and a forward current of 100 mA. They are available in SMD packages with a pointed cathode.

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BAT 14-013是德州仪器公司生产的一种半导体器件，它是一种高性能的硅肖特基二极管，具有中等的势垒和良好的线性度。该器件适用于探测器和混频器应用。它采用了一种密封的微波封装，可以承受高温和高湿度。

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