ST说明书大全

STGD3NB60KD是STMicroelectronics公司设计的一款大功率IGBT，其最大电压为600V，最大电流为3A，额定工作温度为-65至150°C。

文件类型: PDF 大小:311 KB

STGD3NB60H是STMicroelectronics推出的一款高性能N沟道IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低栅极电荷、高电流能力、极高工作频率、尾电流等特点。

文件类型: PDF 大小:88 KB

STMicroelectronics STGP7NC60HD STGF7NC60HD - STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D²PAK Very Fast PowerMESH™ IGBT是STMicroelectronics公司推出的一种IGBT，具有低压降、低开关损耗、低恢复能量、高频率和快速恢复的特点，适用于高频逆变器、SMPS和PFC等应用。

文件类型: PDF 大小:329 KB

STGP7NB60K-STGP7NB60KFP-STGD7NB60K STGP7NB60KD-STGP7NB60KDFP-STGB7NB60KD是STMicroelectronics生产的一款N通道7A-600V-TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗（电压驱动）、低导通电压降（Vcesat）、低栅极电荷、高电流能力、关断损耗包括尾电流、频率操作、短路额定等特点，应用于高频电机控制、SMPS和PFC等应用场景。

文件类型: PDF 大小:643 KB

STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT 是 ST 公司推出的一款高性能功率 IGBT 器件。该器件具有高输入阻抗、低导通电压、低栅极电荷、高电流容量、高频率工作和低关断损耗等特性，可应用于高频率电机控制、SMPS 和 PFC 等应用场合。

文件类型: PDF 大小:318 KB

该文件介绍了STMicroelectronics生产的PowerMESH™ IGBT系列产品的特点和性能。这些产品具有高输入阻抗、低开启电压降(Vcesat)、低关断损耗、低门极电荷、高电流能力和高频率操作等特点。适用于电机控制、SMPS和PFC以及硬开关和谐振拓扑等应用。

文件类型: PDF 大小:501 KB

STGB7NB40LZ 是 ST 公司生产的一款高压绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，具有低阈值电压、低导通电压降、低栅极电荷、高电流能力和高压钳位等特点。该器件适用于汽车点火等应用。

文件类型: PDF 大小:387 KB

STGB6NC60HD, STGB6NC60HD-1, STGF6NC60HD, STGP6NC60HD是STMicroelectronics公司推出的一款N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH™ IGBT。该产品具有低压降（Vcesat）、低CRES / CIES比率（无交叉导通易感性）、非常柔软的超快速恢复反并联二极管和高频操作等特点。

文件类型: PDF 大小:397 KB

STGP6NC60HD和STGF6NC60HD是ST公司生产的一款新型N沟道6A-600V的TO-220/TO-220FP封装的功率晶体管，具有低压降、低开关损耗、低恢复能量、高频率等特点，适用于高频逆变器、SMPS和PFC等应用。

文件类型: PDF 大小:200 KB

STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT，采用基于专利条带布局的最新高压技术，具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT，具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。

文件类型: PDF 大小:332 KB

STGP3NB60MD - STGB3NB60MD是STMicroelectronics生产的一款N通道3A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH™ IGBT。它具有高输入阻抗、低开启电压降、低关断损耗包括尾电流、低栅极电荷、高电流能力、高频率操作等特点。

文件类型: PDF 大小:509 KB

STGP3NB60K是STMicroelectronics生产的一款N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低门极电荷、高电流能力、开关损耗包括尾电流、高频率操作和短路额定等特点。

文件类型: PDF 大小:641 KB

STGB3NB60HD是ST公司生产的一款N通道3A-600V TO-263功率模块，具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力、高频率工作、开关损耗包含尾电流等特点。

文件类型: PDF 大小:93 KB

STGP3NB60F/STGD3NB60F/STGP3NB60FD/STGF3NB60FD/STGB3NB60FD是STMicroelectronics公司生产的一款高性能IGBT，该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力、低关断损耗、高频率操作等特点，主要应用于电机控制和SMPS及PFC等电路

文件类型: PDF 大小:657 KB

STGB20NB41LZ是一款N沟道夹持功率MESH IGBT，具有低阈值电压、低通态电压降、低门电荷、高电流能力和高电压夹持特性。它采用了最新的基于专利带状布局的高压技术，具有出色的性能。

文件类型: PDF 大小:256 KB

STGB20NB37LZ是一种N通道夹紧功率MESH IGBT，具有低阈值电压、低导通压降、高电流能力和高电压夹紧特性。它采用最新的基于专利条形布局的高压技术设计，具有卓越的性能。

文件类型: PDF 大小:52 KB

STGB20NB32LZ是ST公司生产的一款N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT，它采用了最新的高压技术，具有优异的性能，内部集成了发射极-栅极二极管和集电极-栅极二极管，分别提供了ESD保护和高精度的活性钳位

文件类型: PDF 大小:458 KB

本文件为STGD18N40LZ - STGB18N40LZ的规格书，介绍了产品的特点特性，包括额定电压、电气特性、测试电路、封装尺寸等信息

文件类型: PDF 大小:595 KB

STMicroelectronics N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH™ IGBT 产品具有LOWER ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)，OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT，LOWER CRES / CIES RATIO，SWITCHING LOSSES INCLUDE DIODE RECOVERY ENERGY，VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY ANTIPARALLEL DIODE等特点，适用于HIGH FREQUENCY INVERTERS，SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES，MOTOR DRIVERS等应用场景。

文件类型: PDF 大小:397 KB

STGB12NB60KD是一款600V、18A的IGBT，采用TO-220和D2PAK封装。

文件类型: PDF 大小:526 KB