ST说明书大全
ST 74LVX138 数据手册
74LVX138是一款低电压CMOS 3 TO 8线解码器(非反相),采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合低功耗、电池供电和低噪声3.3V应用。如果设备被启用,3个二进制选择器(A、B和C)确定哪一个输出将变低。如果使能输入G1保持低电平或G2A或G2B保持高电平,则解码功能将被禁止,所有8个输出均将变高。提供了3个使能输入,以简化级联连接和内存系统中地址解码器的应用。在所有输入上都提供了掉电保护,并且可以接受0至7V的输入,而无需考虑电源电压。该设备可用于接口5V至3V系统。它结合了高速度性能和真正CMOS低功耗。所有输入和输出都配备了防静电放电电路,可提供2KV ESD 免疫性和瞬态 ESD 免疫性。
文件类型: PDF 大小:219 KB
ST 74LVX157 数据手册
74LVX157是低电压CMOS QUAD 2通道多路复用器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造,非常适合低功耗、电池供电和低噪声3.3V应用。它由四个2输入数字多路复用器组成,带有公共选择和触发输入。当STROBE输入保持高电平时,数据选择被禁止,所有输出都变为低电平。SELECT解码决定是A还是B输入被路由到其相应的Y输出。所有输入都提供电源下电保护,0至7V都可以在输入上接受,而不管电源电压如何。该器件可以用来接口5V到3V系统。它结合了高速性能和真正的CMOS低功耗。所有输入和输出都配备了防静电放电电路,使其具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。
文件类型: PDF 大小:178 KB
ST 74LVX174 数据手册
74LVX174是一款低压CMOS六路D触发器,具有非反相清除功能,采用亚微米硅栅极和双层金属线C2MOS技术制造。它非常适合低功耗、电池供电和低噪声3.3V应用。
文件类型: PDF 大小:202 KB
ST 74LVX273 数据手册
74LVX273是一种低压CMOS八位D型触发器,具有清除功能。它采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造,适用于低功耗、电池供电和低噪声的3.3V应用。它具有高速性能、真正的CMOS低功耗和静电放电保护等特点。
文件类型: PDF 大小:217 KB
ST 74LVX125 数据手册
74LVX125是一种低电压CMOS四线缓冲器,适用于低功耗、电池操作和低噪声的3.3V应用。其具有高速性能和真正的CMOS低功耗结合。所有输入和输出都配备了静电放电保护电路,具有2KV ESD抗干扰和瞬态过电压能力。
文件类型: PDF 大小:151 KB
ST 74VHCT541A 数据手册
74VHCT541A 是集成电路芯片,是高压、高速、低功耗、低噪声、3-STATE输出的八路缓冲器。该芯片采用C2MOS工艺,具有输入电压范围宽、输入电流小、功耗低、抗静电能力强、抗共模干扰能力强等特点
文件类型: PDF 大小:195 KB
ST 74VHC541 数据手册
74VHC541是高性能CMOS八路缓冲器,提供三个状态输出。该芯片具有高速度、低功耗、高噪声免疫和低噪声等特性,适用于5V至3V的电压接口。
文件类型: PDF 大小:295 KB
ST 74VHCT244A 数据手册
该文档介绍了74VHCT244A型号的特点和特性。该产品是一种高速CMOS八路总线缓冲器,具有低功耗和兼容TTL输出等特点。
文件类型: PDF 大小:244 KB
ST 74LVX3245 数据手册
74LVX3245是74LVX系列的新产品,具有低功耗和高速度,是5V/3.3V混合供电系统中用于5V总线和3.3V总线之间的接口器件。
文件类型: PDF 大小:178 KB
ST 74VHCT574A 数据手册
该文件介绍了一款高速CMOS八位D型触发器,具有三态输出。它采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。该触发器由时钟输入和输出使能输入控制。在时钟的正跳变沿上,Q输出将设置为在D输入上设置的逻辑状态。当输出使能输入低电平时,8个输出将处于正常逻辑状态(高电平或低电平),当输出使能输入为高电平时,输出将处于高阻态。输出控制不会影响触发器的内部操作,即即使输出关闭,旧数据也可以保留或输入新数据。所有输入和输出都提供了断电保护,输入可以接受0到7V的电压而不考虑供电电压。该设备可用于5V到3V的接口,因为所有输入都配有TTL阈值。
文件类型: PDF 大小:188 KB
ST 74LCX157 数据手册
这份文档介绍了一款低压CMOS四通道二选一多路复用器,具有5V容忍输入和高速特性,适用于低功耗和高速3.3V应用。它可以与5V信号环境进行输入接口。该产品具有保护电路,可防止静电放电和瞬态过电压。
文件类型: PDF 大小:325 KB
ST 74LCX138 数据手册
74LCX138是一款低电压CMOS 3至8线解码器(反相器),采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适用于低功耗和高速度3.3V应用;它可以接口到5V信号环境的输入。如果设备启用,3个二进制选择输入(A、B和C)确定哪个输出会变低。如果使能输入G1保持低电平或G2A或G2B保持高电平,解码功能将被抑制,所有8个输出都将变高。提供了三个使能输入,以简化级联连接和内存系统地址解码器的应用。它在3.3V时具有与5V AC/ACT系列相同的速度性能,同时具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过压。
文件类型: PDF 大小:307 KB
ST 74LVX04 数据手册
该文件介绍了一款名为74LVX04的低压CMOS六反相器产品。该产品采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造,适用于低功耗、电池供电和低噪声的3.3V应用。它具有高速性能、真正的CMOS低功耗和高噪声抗干扰特性。该产品的输入和输出都配备了静电放电保护电路,具有2KV的ESD抗干扰能力和瞬态过电压保护。
文件类型: PDF 大小:239 KB
ST 74LVX86 数据手册
74LVX86是低电压CMOS QUAD EXCLUSIVE OR GATE,具有5V耐受输入。它是低功耗、电池供电和低噪声3.3V应用的理想选择。所有输入和输出都配备了保护电路,防止静电放电,使它们具有2KV ESD免疫和瞬态过电压。
文件类型: PDF 大小:245 KB