ST说明书大全
ST SMP30-xxx Series 数据手册
SMP30-xxx系列是双向防浪涌保护器，额定电压范围为62V至270V。它具有150mA的最小保持电流和30A的10/1000µs重复峰值脉冲电流。该系列采用JEDEC注册的SMA（JEDEC DO-214AA）封装。SMP30-xxx系列已被设计用于保护通信设备免受交流电源线感应的雷电浪涌和过电压。
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ST SMP30-xxx 数据手册
SMP30-xxx 系列是用于保护电信设备免受雷电和 AC 电源线引起的瞬变的双向 crowbar 保护器。该系列采用 SMA 封装，优化了封装/芯片尺寸比。
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ST INFLUENCE OF GATE AND BASE DRIVE ON POWER SWITCH BEHAVIOUR 应用笔记(1)
本文档是AATON XTRprod用户手册，介绍了该产品的特点和特性。
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ST AN INTRODUCTION TO IGBTS 应用笔记
HD ELECTRONIC VIEWFINDER HDVF-C35W 是索尼公司生产的一款电子取景器，具有视度调整、画面调整、清洁显示屏、使用菜单等功能。
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ST TOPOLOGIES FOR SWITCHED MODE POWER SUPPLIES APPLICATION NOTE
本文介绍了DC-DC转换器的不同拓扑结构, 包括非隔离型的buck, boost, buck-boost拓扑结构, 以及隔离型的buck, boost, buck-boost拓扑结构.
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ST CAR IGNITION WITH IGBTS APPLICATION NOTE
该文件介绍了IGBT在汽车点火系统中的应用，介绍了IGBT的特点，以及在汽车点火系统中应用的优势。
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ST A COST EFFECTIVE ULTRA FAST Ni-Cd BATTERY CHARGER APPLICATION NOTE
这篇应用笔记介绍了一种高效的100kHz转换器，可以在30分钟内给镍镉电池充电。电池充电由低成本微控制器(ST6210)监控，该微控制器可以识别电池电压、监控温度并控制充电。
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ST AN1223 APPLICATION NOTE 数据手册
本文档介绍了LDMOS和双极型技术之间的差异，并比较了它们的参数和性能。LDMOS是场效应晶体管 (FET) 的一种，具有双极结晶体管 (BJT) 所不具备的优点，包括热稳定性、频率稳定性、更高的增益、更高的鲁棒性、更低的噪声、更低的反馈电容、更简单的偏置电路、恒定输入阻抗、更好的 IMD 性能、更低的热阻和更好的 AGC 能力。
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ST AN1224 APPLICATION NOTE 数据手册
本应用笔记介绍了一种使用低成本 900 MHz 蜂窝设备作为商用 FM 驱动器的可行性。该设备使用 STMicroelectronics 的产品 SD57045 LDMOS RF 晶体管。LDMOS 技术允许制造高效率和高增益的 FM 发射机放大器。LDMOS 在更高的增益、效率、线性度和偏置简便性方面具有比双极性器件更明显的优势，这可以降低整体系统成本，使其成为要求低成本 RF 功率晶体管解决方案的高容量业务的理想选择。
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ST AN1226 数据手册
介绍了RF功率MOSFET器件的两个基本类型DMOS和LDMOS的结构方面，比较了DMOS和LDMOS结构，揭示了RF MOSFET器件技术的基本原理，以及改善其RF性能和可靠性所面临的挑战
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ST AN1228 数据手册
本文介绍了LDMOS技术的特点和特性，以及与RF性能之间的关系。通过了解LDMOS器件的参数和特性，设计工程师可以更好地使用这些器件，并有效监控半导体制造过程。
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ST AN1229 Application note 数据手册
该应用笔记介绍了使用 ST 公司的 SD2932 高频 MOSFET 晶体管构建的 300W FM 功率放大器
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ST AN1232 数据手册
该文档介绍了RF DMOS器件的鲁棒性改进，以及在RF功率晶体管的输出和负载之间存在的阻抗不匹配问题，并提出了一种理论模型来模拟故障模式机制，并采取了相应的纠正措施。
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ST AN1256 数据手册
该应用笔记介绍了STMicroelectronics的最新产品SD2933，这是一款单端、50 V、300 W、金（Au）金属化的N通道垂直功率MOSFET，设计用于高达150 MHz，具有极高的增益和增强的热封装，非常适合各种应用，包括等离子体生成、激励和FM广播应用。
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ST AN1294 数据手册
PowerSO-10RF是STMicroelectronics推出的一种新型RF塑料封装，具有优异的热性能、高功率能力、高功率密度和适用于所有回流焊接方法的优点。
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ST AN1316 数据手册
MDmesh™ 多沟道金属网状场效应晶体管（MOSFET）是 ST 研发的一种高电压功率 MOSFET，采用了新型的垂直沟道结构和 ST 成熟的 Mesh Overlay™ 金属网状布局。采用这种结构的 MOSFET 电阻更低，导通电压更低，耐压能力更强。
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