ST说明书大全

STP60NH2LL是一种N沟道功率MOSFET，采用ST的STripFET™技术，具有低导通和开关损耗，适用于要求高效率的DC-DC转换器应用。

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该文档介绍了一款N沟道功率MOSFET产品，具有极高的dv/dt能力和低输入电容和门电荷。适用于高效率DC/DC转换器、工业和照明设备以及电机控制等应用。

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该文件介绍了STB60NF06L、STP60NF06L和STP60NF06LFP三款产品的特点和特性，包括其在高效隔离式DC-DC转换器和其他低门电荷驱动需求应用中的适用性。

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该文件介绍了STB60NF06L, STP60NF06L和STP60NF06LFP系列的N-CHANNEL 60V - 0.012Ω - 60A MOSFET。这些产品具有低输入电容和栅电荷，适用于高效率、高频率隔离的DC-DC转换器和低门极驱动要求的应用。

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STP16NF06是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS（on）典型值为0.08Ω，具有出色的dv/dt能力和低门极电荷（100°C），适用于电机控制、音频放大器、高电流、高开关速度、继电器驱动器、DC-DC和DC-AC转换器、汽车等应用场景。

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该型号是ST公司的一款N沟道功率MOSFET器件，其特点是导通电阻低、dv/dt能力强、封装类型为TO-220/TO-220FP。

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STP60NF06是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电阻为0.014Ω，最大电流为60A。该产品采用STripFET工艺，具有输入电容和栅极电荷小、开关速度快等特点，适用于高效率DC-DC转换器、UPS和电机控制等应用。

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该文档介绍了STP60NF06型号N沟道60V功率MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有出色的dv/dt能力和低输入电容和栅极电荷，适用于高效隔离DC-DC转换器等应用。

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这份文件介绍了一款N沟道功率MOSFET产品的特点和特性，包括采用了第二代MDmesh™技术、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等。该产品适用于高效率转换器的开关应用。

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STD7NM50N-1,STF7NM50N和STP7NM50N是第二代MDmesh™PowerMOSFET，具有100%的雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点，适用于最苛刻的高效率转换器应用。

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STP7NK80Z - STP7NK80ZFP STB7NK80Z - STB7NK80Z-1 是ST公司的N-CHANNEL800V-1.5Ω - 5.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET, 具有非常好的dv/dt能力，可用于高电流、高速度切换、SMPS等应用。

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STP7NK40Z - STP7NK40ZFP STD7NK40Z - STD7NK40Z-1 N-CHANNEL 400V-0.85Ω-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET I TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω I EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY I 100% AVALANCHE TESTED I GATE CHARGE MINIMIZED I VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES I VERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITY

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STP7NK30Z是一款由ST公司生产的高性能MOSFET器件，其额定电压为300V，导通电阻为0.80欧姆，最大电流为5A。该器件具有极高的dv/dt能力和100%的雪崩测试，非常适合于高要求的应用场合。

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STP7NE10是一种N沟道功率MOSFET，工作电压为100V，导通电阻为0.3Ω，电流为7A，具有异常dv/dt能力和100%的avalanche测试。该产品适用于直流电机控制、直流-直流和直流-交流转换器、同步整流等应用。

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STP7NC80Z - STP7NC80ZFP STB7NC80Z - STB7NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.3Ω - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET 是一款 800V 超低 Rds(on) 栅极二极管保护功率 MOSFET ，主要应用于单端 SMPS 、监视器、计算机和工业应用。

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stp7nc80z是鼎好品牌的一款n-channel 800v - 1.3Ω - 6.5a to-220/fp/d2pak/i2pak zener-protected powermesh™iii mosfet，具有非常低的门输入电阻和最小化的门电荷。

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这份文件介绍了STP7NC70Z和STB7NC70Z系列的N沟道700V功率MOSFET，它们具有1.1Ω的典型导通电阻，极高的dv/dt和电容能力，以及集成的反向锁定二极管。其主要应用包括单端开关电源、监视器、计算机和工业设备以及焊接设备等。

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