威世说明书大全
VISHAY IHLP-5050CE-01 数据手册
该文档介绍了Vishay Dale的IHLP-5050CE-01型号低型、高电流电感器的特点。该产品具有最低的高度（3.5mm），屏蔽结构，频率范围高达5.0MHz，最低的DCR/µH，在该封装尺寸中处理高瞬态电流峰值而不会饱和，超低的噪音，100%无铅（Pb）和符合RoHS。
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VISHAY SMF5V0A to SMF52A 数据手册
SMF5V0A到SMF51A是一种表面贴装ESD保护二极管，适用于LAN保护应用，符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4标准，具有低增量浪涌阻抗、优异的压制能力、快速响应时间等特点。
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VISHAY Si7414DN 数据手册
Si7414DN是VISHAY 公司的一种新型N沟道60V(D-S)MOSFET，具有低导通电阻和低结温特点，适用于PWM控制、主侧开关、同步整流和电机驱动等应用。
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VISHAY Si2328DS 数据手册
Si2328DS 是 Vishay Siliconix 推出的新产品，是一款 N 通道 100-V (D-S) MOSFET，最大漏源电压为 100 伏，额定漏源电阻为 0.250 Ω，额定工作温度范围为 -55 至 150 ℃。
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VISHAY TZMC Data Sheet
TZMC系列是Vishay Telefunken生产的硅基平面Z二极管，具有非常陡峭的反向特性、低反向电流水平、可用更严格的公差、非常高的稳定性和低噪声等特点。
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VISHAY SPICE Device Model SUM110N04-2m7H 数据手册
该文档是关于SUM110N04-2m7H Vishay Siliconix SPICE设备模型的指导方针，介绍了该产品的特点和特性，并提供了相应的电气特性数据。
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VISHAY TCDT1110(G) Data Sheet
TCDT1110(G)是Vishay Telefunken生产的一款光电耦合器，它由一个光电二极管和一个光敏晶体管组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。本产品符合安全等级II（加强绝缘）的安全防护要求，可应用于开关电源、线路接收器、计算机外围接口、微处理器系统接口等。
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VISHAY CNY70 Reflective Optical Sensor with Transistor Output
CNY70是一款反射式光电传感器，具有紧凑的结构，适用于光电扫描和开关设备，工作波长为950nm，输出信号高，温度系数低。
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VISHAY GS6332 and GS6333 数据手册
本文档介绍了GS6332和GS6333两款系统监控芯片，这两款芯片均采用SOT-23封装，工作电流小于3µA，支持1.8V和2.5V两种供电电压，可监控电源电压是否正常，并在电源电压异常时向主处理器发送复位信号。
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VISHAY FX5545G005 数据手册
Vishay FX5545G005 是 Vishay 公司推出的一款 5W 1.5A 的 DC/DC 降压转换器，输出功率密度高达 100W/inch3。
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VISHAY TZM5221B...TZM5267B 数据手册
TZM5221B 和 TZM5267B 都是 Vishay Telefunken 生产的硅 Z 二极管。它们具有非常尖锐的反向特性、非常高的稳定性、与 1N5221B 和 1N5267B 的设备相同的电气数据、较低的反向电流水平以及 ±5% 的 VZ 公差。它们的应用包括电压稳定。
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VISHAY TSAL7300 数据手册
TSAL7300 Vishay Telefunken 是高效率的红外发射二极管,采用GaAlAs on GaAs 技术, 在类似波长下实现超过 100% 的发射功率增强。
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VISHAY Si9183 数据手册
Si9183是Vishay Siliconix推出的一款高性能、节省空间的150-mA CMOS LDO（低压差）稳压器。其超低地线电流和压差电压可延长便携式电子设备中的电池寿命。该器件提供了优于双极性或BiCMOS LDO稳压器的LINE/LOAD瞬态响应和纹波抑制。它旨在在提供300-mA峰值电流的同时保持稳压。Si9183驱动更低成本的陶瓷和钽电容器。从最大负载电流到0-mA负载，保证稳定性。连接到器件的CBP引脚的外部噪声旁路电容器将降低LDO的自噪声，以实现低噪声应用。Si9183包括一个关断功能，允许用户在不需要时禁用器件。
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VISHAY Si7991DP 数据手册
该文件介绍了一款新型的低热阻PowerPAK封装的TrenchFET功率MOSFET产品，适用于负载开关应用，如笔记本电脑、台式电脑和游戏站等。产品特点包括低1.07毫米的封装高度和双P通道30V MOSFET结构。
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VISHAY Si7909DN 数据手册
Vishay Siliconix Si7909DN 是双 P 通道 12 V (D-S) MOSFET，具有 1.8 V 额定电压、新的低热阻 PowerPAK® 封装、先进的高电池密度工艺、超低 rDS(on) 和高 PD 能力。它适用于负载开关、PA 开关、电池开关和双向开关。
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VISHAY Si4862DY 说明书
该文件介绍了Vishay Siliconix的Si4862DY N通道16V MOSFET产品的特性和特点。它具有2.5V额定电压、低3.3mΩ的rDS(on)、低门阻抗和100% RG测试。该产品适用于同步整流和低输出电压同步整流应用。
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VISHAY Si1901DL Data Sheet
Si1901DL 是 Vishay Siliconix 推出的新品，是一款 P 通道 20-V (D-S) MOSFET。其主要特性包括：额定漏源电压为 -20 V，漏源电阻为 3.8 @ VGS = -4.5 V，连续漏源电流为 -180 A。
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