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该文件描述了金士顿的512M x 64位（4GB）DDR3-1333 CL7 SDRAM（同步DRAM）内存模块的特点特性，基于十六个256M x 8位FBGA组件。该模块经过测试，以1.65V的低延迟时间7-7-7-20以DDR3-1333运行。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时间9-9-9。该240针DIMM使用金接触指。JEDEC的电气和机械规格如下：

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本文档介绍了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，注册带奇偶校验，2Rx8，ECC，VLP（超低型）内存模块。该模块基于十八个256M x 8位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM接口使用金触点。

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这是一个关于 Kingston的 KHX2400C11D3K4/8GX 内存模块的产品描述文件。它包含了内存模块的容量、速度、时序等信息

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KVR1333D3N9K2/2G 2GB (1GB 1Rx8 128M x 64-Bit x 2 pcs.) PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM Kit 是 ValueRAM 的一款内存模块，采用 DDR3-1333 内存，单条容量为 1GB，总容量为 2GB，支持 CAS 延迟 9、8、7、6，支持 8 个独立内部 bank，支持 Burst Length 8 和 4，支持 Asynchronous Reset，支持 On Die Termination using ODT pin，支持 Bi-directional Differential Data Strobe，支持 Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)，支持 Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C。

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这份文档介绍了ValueRAM的DDR3L-1333 CL9 SDRAM (同步DRAM) 8GB内存模块的特点和特性，包括低电压、注册、带奇偶校验、4Rx8 ECC等特性。

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该文档介绍了KVR1066D3D8R7SK3/12G型号的内存模块规格，包括模块容量、时序、电压、特性等。

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KHX1333C9D3B1K2/8G 8GB (4GB 512M x 64-Bit x 2 pcs.) DDR3-1333 CL9 240-Pin DIMM Kit 是金士顿的一款内存条，采用2Rx8内存模块，总容量为8GB。该产品支持 JEDEC 标准延迟 DDR3-1333 时序，电源电压为 1.5V。

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这份文档介绍了ValueRAM的1G x 72-bit (8GB) DDR3L-1333 CL9 SDRAM (同步DRAM)低电压、带奇偶校验、2Rx4 ECC内存模块的特点和特性。它基于36颗512M x 4位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序，为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM使用金接触点。电气和机械规格如下：

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这款KHX6400S2ULK2/4G内存条是一款2GB的DDR2内存条，采用了256M x 64-bit的构造，带有CL4超低延迟时序，总容量为4GB。

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该文档描述了ValueRAM的256M x 64位 2GB (2048MB) PC2-4200 CL3 SDRAM (同步DRAM)内存模块的特点和特性。该模块基于16个128M x 8位DDR2 FBGA组件。 SPD被编程为JEDEC低延迟时序3-3-3-8，工作电压为1.8V。这款200针SODIMM使用金触点，并需要+1.8V电压。电气和机械规格如下：...

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KHX5300S2LLK2/2G是金士顿的一款2GB DDR2 SODIMM内存模块，由两块1GB 128M x 64-bit SDRAM组成。

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这是一款4GB 512M x 64-Bit DDR3-1600 CL9 240-Pin DIMM，支持低延迟时序9-9-9，电压1.65V。

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Kingston的KHX8500D2K4/4G是一个由四个128M x 64-bit 1GB (1024MB) DDR2-1066 CL5 SDRAM (Synchronous DRAM)内存模块组成的套件，每个模块基于十六个64M x 8-bit DDR2 FBGA组件。总套件容量为4GB (4096MB)。每个模块套件都经过测试，以2.2V的延迟时间5-5-5-15的DDR2-1066MHz运行。SPD编程为JEDEC标准延迟800Mhz时间5-5-5-18，电压为1.8V。每个240针DIMM使用金触点，需要+1.8V。电气和机械规格如下：

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Kingston KHX6400S2LLK2/2G 2GB 200-pin SODIMM 内存模块的规格，包括时序、电压、功耗等信息

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Kingston KHX1600C9S3K2/8GX 是 204 针 SODIMM 内存，带有 4GB 容量、 DDR3-1600 时钟频率和 9-9-9-27 低延迟时序。

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这款内存是金士顿的KHX1333C7D3K2/4GX，是一款2GB（256M x 64位×2个）DDR3-1333MHz CL7 240针DIMM套件。每块内存模块支持Intel® XMP（极限内存配置文件）。套件总容量为4GB。每对内存模块经过测试，可在DDR3-1333MHz时以低延迟时序7-7-7-20在1.65V下运行。SPD已编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333MHz时序9-9-9，电压为1.5V。每块240针DIMM均采用金触点和需要+1.5V。以下是JEDEC标准电气和机械规格：

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该文件介绍了Kingston的KHX6400S2LLK2/4G产品，它是一套两个2GB CL5低延迟SDRAM 2Rx8内存模块的组合。每个模块基于16个128M x 8位DDR2 FBGA组件。总容量为4GB。SPDs编程为JEDEC低延迟时序，1.8V。每个200针SODIMM使用金接触点，需要+1.8V。

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KVR1333D3D8R9SK3/12G是一款由三个512M x 72-bit (4GB) DDR3-1333 CL9 SDRAM (Synchronous DRAM) 组成的套件，采用了带奇偶校验的注册模式，2Rx8 ECC内存模块，每个模块有18个256M x 8-bit DDR3-1333 FBGA组件。总套件容量为12GB。SPD已编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333的时序为9-9-9。每个240针DIMM使用金接触指针。电气和机械规格如下：

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KVR1066D3E7SK3/12G是ValueRAM公司的一款12GB内存条，它采用了DDR3-1066 CL7 SDRAM（同步动态随机存储器）技术，可以在时钟频率为1066MHz时达到7-7-7的延迟。该内存条支持JEDEC标准1.5V电源，并采用240针DIMM封装。

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该文档介绍了ValueRAM的512M x 64位（4GB）DDR3-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），2Rx8内存模块，基于十六个256M x 8位DDR3-1333 FBGA组件。该模块的SPD编程为JEDEC标准的DDR3-1333时序，延迟为9-9-9，电压为1.5V。

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