工业器械说明书大全
ST M34F04 4Kbit Serial I²C Bus EEPROM With Hardware Write Control on Top Half of Memory 数据手册
M34F04 4Kbit Serial I²C Bus EEPROM With Hardware Write Control on Top Half of Memory是美国Microchip公司的一款产品，它具有两线I2C串行接口，支持400kHz协议，工作电压为2.5至5.5V，支持硬件写控制。
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ST M34E02/M34E02-F 数据手册
M34E02, M34E02-F 2 Kbit serial presence detect (SPD) EEPROM for double data rate (DDR1 and DDR2) DRAM modules. It features 100 kHz and 400 kHz I2C bus serial interface, byte and page write, and self-timed write cycle.
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ST SRIX4K 13.56 MHz short-range contactless memory chip with 4096-bit EEPROM, anticollision and anti-clone functions 数据手册
该文件介绍了SRIX4K 13.56 MHz短程非接触式存储芯片的特点，包括4096位EEPROM、防冲突和防克隆功能。
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ST CRX14 ISO14443 type-B contactless coupler chip with anti-collision, CRC management and anti-clone function 数据手册
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ST M24256-BW M24256-BR M24256-BF M24256-DR M24256-DF 256-Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册
M24256-BW M24256-BR M24256-BF M24256-DR M24256-DF 256-Kbit serial I²C bus EEPROM Datasheet − production data
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ST M950x0 M950x0-W M950x0-R 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册
M950x0 M950x0-W M950x0-R 4 Kbit, 2 Kbit 和 1 Kbit 串行 SPI 总线 EEPROM 具有高速时钟
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ST M95128-W M95128-R M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册
M95128-W M95128-R M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock datasheet. This datasheet provides information on the M95128-W, M95128-R, and M95128-DF 128-Kbit serial SPI bus EEPROMs with high-speed clock.
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ST M95320-W M95320-R M95320-DR 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册
M95320-W，M95320-R，M95320-DR这三款产品是32Kbit串行SPI总线EEPROM，兼容串行外围接口（SPI）总线，内存阵列为32Kb（4KB），页面大小为32字节，具有高时钟速度20MHz，单电源电压2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有增强的ESD保护，超过400万次写入周期，超过200年的存储时间。
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ST M48Z512A M48Z512AY, M48Z512AV 4 Mbit (512 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册
该文件介绍了M48Z512A/Y/V ZEROPOWER® RAM的特点和特性，包括集成的超低功耗SRAM、电源故障控制电路和电池、无限写入次数、断电情况下的10年数据保留、自动断电和写保护功能等。
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ST M48Z2M1Y M48Z2M1V 5 V or 3.3 V, 16 Mbit (2 Mb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册
本手册介绍了M48Z2M1Y和M48Z2M1V系列集成式超低功耗SRAM、电源故障控制电路和电池。
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ST M93S66, M93S56 M93S46 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection 数据手册
M93S66, M93S56 M93S46 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection 的特点特性
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ST M24C16-x M24C08-x M24C04-x M24C02-x M24C01-x 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册
该文档介绍了M24C16-x、M24C08-x、M24C04-x、M24C02-x和M24C01-x等系列产品的特点和特性，包括支持I2C标准模式和快速模式、写控制输入、字节和页面写入、随机和顺序读取模式、自定时编程周期、自动地址增加、增强的ESD/抗锁存保护、超过100万次写入周期、超过40年数据保留等特点。
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ST M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® serial access EEPROM 数据手册
该数据手册详细介绍了STMicroelectronics的M93Cx6系列MICROWIRE®串行访问EEPROM的特征和特性。该系列包括16 Kbit、8 Kbit、4 Kbit、2 Kbit和1 Kbit（8位或16位宽）的设备。
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ST M24C32-W M24C32-R M24C32-F M24C32-X M24C32-DF 32-Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册
这是一个关于 M24C32-W M24C32-R M24C32-F M24C32-X M24C32-DF 32-Kbit 串行I²C总线EEPROM数据表的产品信息
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ST M48Z35 M48Z35Y 256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册
该文档介绍了M48Z35和M48Z35Y两款256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM产品的特点特性，包括超低功耗SRAM、断电控制电路和电池，读写周期相等，自动断电芯片取消选择和写保护等。
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ST M48Z58/M48Z58Y 数据手册
M48Z58和M48Z58Y是一种集成了超低功耗SRAM、断电控制电路和电池的5V、64 Kbit（8 Kbit x 8）零功耗SRAM。它具有自动断电芯片取消选择和写保护功能，支持不同的写保护电压范围。它采用了CAPHAT™ DIP封装，内置电池，同时还提供了28引脚SOIC和SNAPHAT®顶部（需另外订购）的封装形式。它与JEDEC标准的8 Kbit x 8 SRAM引脚和功能兼容，符合RoHS标准。
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ST M48Z08 M48Z18 5 V, 64 Kbit (8 Kb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册
本文件介绍了M48Z08和M48Z18 5 V，64 Kbit（8 Kb x 8）ZEROPOWER® SRAM的特点特性。
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ST M48Z02 M48Z12 5 V, 16 Kbit (2 Kb x 8) ZEROPOWER SRAM 数据手册
该文档介绍了M48Z02和M48Z12两种型号的5V、16Kbit的ZEROPOWER® SRAM产品的特点和特性，其中包括集成的超低功耗SRAM和电源失效控制电路、无限写入循环、读取周期时间等。
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ST M24128-125 Automotive 128-Kbit serial I²C bus EEPROM 数据手册
M24128-125 是一款 128-Kbit 的串行 I²C 总线 EEPROM，具有以下特点：兼容所有 I2C 总线模式（400 kHz Fast 模式、100 kHz Standard 模式）、128 Kbit（16 Kbytes）的 EEPROM 存储阵列、64 字节的页大小、5 ms 的写字节写入时间、5 ms 的页写入时间、2.5 V 至 5.5 V 的单电源电压、-40 °C 至 +125 °C 的操作温度范围、随机和顺序读取模式、整个存储阵列的写保护、增强的 ESD/Latch-Up 保护、100 万次以上的写入周期和 40 年的存储数据保留期。
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ST M95256-125 Automotive 256-Kbit serial SPI bus EEPROM 数据手册
M95256-125是STMicroelectronics公司的一款汽车256-Kbit串行SPI总线EEPROM，具有以下特点：兼容Serial Peripheral Interface（SPI）总线；存储阵列256Kb（32K字节）的EEPROM；页面大小：64字节；写字节写入时间为5毫秒；页面写入时间为5毫秒；写保护：四分之一、一半或整个存储阵列；高时钟：5MHz；单电源电压：4.5V至5.5V；工作温度范围：-40°C至+125°C；增强的ESD保护；超过100万次写入周期；超过40年的存储数据保持时间；RoHS兼容和无卤素（ECOPACK®）SO8（MN）150毫米宽TSSOP8（DW）169毫米宽。
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