工业器械说明书大全
ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C bus EEPROM 数据手册
该文档介绍了M24C16, M24C08, M24C04, M24C02和M24C01这几款支持I²C总线的串行EEPROM芯片的特点和特性。这些芯片具有两线I²C串行接口，支持400kHz协议，单电源电压为2.5V至5.5V或1.8V至5.5V，具有写控制输入、字节和页写入、随机和顺序读取模式、自定时编程周期、自动地址增加、增强的ESD/抗锁存保护、超过100万次写入循环、超过40年的数据保留等特点。
文件类型: PDF 大小:170 KB
MF ELETRONICS M1400, M1436, M1444, M1445, M1500, M1536, M1544, M1545, M2400, M2436, M2444, M2445, M2500, M2536, M2544, M2545 数据手册
该文档介绍了MF Electronics公司的ECL和PECL晶体振荡器的特点特性，包括单双互补输出、启动时间、稳定度、温度范围等。
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intersil Plastic Packages for Integrated Circuits 数据手册
本文件提供了M24.173B 24 LEAD THIN SHRINK SMALL OUTLINE EXPOSED PAD PLASTIC PACKAGE的尺寸信息。
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ST STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT 数据手册
STGY50NB60HD是一款N沟道IGBT，具有高输入阻抗、低开通压降、低门极电荷、高电流能力和非常高的频率操作能力等特点。
文件类型: PDF 大小:46 KB
ST STGY40NC60VD 数据手册
STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH™ IGBT是STMicroelectronics公司推出的一款高性能IGBT产品，采用最新的高压技术，具有高电流能力、高频率操作能力、低损耗能力等特点，适用于高频率逆变器、SMPS和PFC等应用场景。
文件类型: PDF 大小:302 KB
ST STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT 数据手册
STGW50NB60M是一款高压N沟道IGBT，其特点是高输入阻抗（电压驱动）、低导通压降（VCESAT）、低栅极电荷和高电流能力。该器件适用于频率<10kHz的应用场合。
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ST STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT 数据手册
STGW50NB60H是一款高压IGBT，具有高输入阻抗、低导通损耗和低开关损耗等特点，适用于高频电机控制、焊接设备等场景
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ST STGW39NC60VD N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT 数据手册(1)
这份文档介绍了STMicroelectronics的STGW39NC60VD产品，它是一种N沟道40A-600V-TO-247超快速开关PowerMESH™ IGBT。它具有低CRES / CIES比率，适用于高频操作，非常柔软的超快速恢复反并联二极管。适用于高频逆变器、UPS和电机驱动器感应加热等应用。
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ST STGW39NC60VD N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT 数据手册
该文档介绍了一款新产品的初步信息，该产品正在开发或正在评估中。详细信息可能会有所变动。该产品是一款N沟道40A-600V-TO-247超快速切换PowerMESH™ IGBT，具有低CRES / CIES比率、高频操作和非常柔软的超快速恢复反并联二极管等特点。
文件类型: PDF 大小:288 KB
ST STGW30NC60W N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT 数据手册
STGW30NC60W是ST的N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH™ IGBT,采用最新的高压技术，具有非常低的开关损耗和非常快的恢复速度
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ST STGW30NB60HD 数据手册
该文档介绍了STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT的特点特性，包括高输入阻抗、低开启电压降、低门电荷、高电流能力、非常高的频率操作等特点。
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ST STGW30NB60H 数据手册
STGW30NB60H是STMicroelectronics公司生产的一款高性能IGBT，该产品具有高输入阻抗、低导通电压、低栅极电荷、高电流能力、高工作频率等特点，适用于高频电机控制、焊接设备、SMPS和PFC等应用场景。
文件类型: PDF 大小:88 KB
ST STGW30N90D 数据手册
该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品的初步信息。该产品是一种N沟道IGBT，具有低损耗、低压降、高电流能力等特点，适用于感应加热应用。
文件类型: PDF 大小:133 KB
ST STGW20NC60VD 数据手册
STGW20NC60VD是STMicroelectronics生产的一款N沟道30A-600V TO-247 Very Fast PowerMESH™ IGBT，其具有高频率操作能力，低能耗，高可靠性等特点。
文件类型: PDF 大小:230 KB
ST STGW20NB60KD 数据手册
STGW20NB60KD是STMicroelectronics设计的一款高频功率模块，具有高输入阻抗、低开启电压和低开启损耗等特点。
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ST STGW20NB60HD 数据手册
STGW20NB60HD是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率开关器件，其集成了PowerMESH IGBT和TurboSwitch二极管，具有高输入阻抗、低导通电压、高电流能力、低开关损耗等特点，广泛应用于高频电机控制、焊接设备、SMPS和PFC等领域。
文件类型: PDF 大小:91 KB
ST STGW20NB60H 数据手册
STMicroelectronics设计了一系列具有出色性能的PowerMESH IGBT，使用基于专利带状布局的最新高压技术。该产品具有高输入阻抗、低开启电压降（VCESAT）、低门电荷、高电流能力和非常高的频率操作能力。适用于高频率电机控制、焊接设备、硬开关和谐振拓扑下的SMPS和PFC等应用。
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