INFINEON说明书大全
Infineon SMBD914/MMBD914... 数据手册
SMBD914/MMBD914 是安森美半导体旗下的肖特基二极管,它具有高击穿电压和低反向电流,适用于高频开关应用。最大额定反向电压为100伏,最大额定正向电流为250毫安。
文件类型: PDF 大小:451 KB
Infineon SMBD7000/MMBD7000... 数据手册
SMBD7000/MMBD7000是一款用于高速开关应用的硅开关二极管阵列。它具有反向电压为100V,峰值反向电压为100V,正向电流为200mA的特点。
文件类型: PDF 大小:442 KB
Infineon BSA 223SP 数据手册
BSA 223SP是P沟道增强型超级逻辑级MOSFET,具有150°C的工作温度、2.5V额定、雪崩额定、dv/dt额定。
文件类型: PDF 大小:95 KB
Infineon IPB80N08S2-07 IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07 说明书
该产品是一款N-通道增强型电力晶体管,具有汽车AEC Q101认证、MSL1高温回流焊、175°C工作温度、绿色环保包装等特点
文件类型: PDF 大小:158 KB
Infineon IPB77N06S3-09 IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09 说明书
IPB77N06S3-09 IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09 OptiMOS®-T功率晶体管具有低导通电阻、汽车AEC Q101认证、高温耐受等特点。
文件类型: PDF 大小:153 KB
Infineon IPP15N03L IPB15N03L 说明书
IPB15N03L 是 N 通道低阻抗功率 MOS 晶体管,额定漏极电压为 30 V,最大导通电阻为 12.6 mΩ,适用于快速切换降压转换器
文件类型: PDF 大小:440 KB
Infineon IPB14N03LA/IPI14N03LA/IPP14N03LA 说明书(1)
IPB14N03LA IPI14N03LA, IPP14N03LA 是理想用于高频 dc/dc 转换器的 N 沟道逻辑电平功率晶体管,具有优异的门极电荷 x R DS(on) 积分 (FOM)、极低的导通电阻 R DS(on) 、优越的热阻和 175 °C 的操作温度。
文件类型: PDF 大小:345 KB
Infineon IPP10N03L IPB10N03L 说明书
IPB10N03L是英飞凌公司生产的一款N沟道逻辑级低压开关器件,其特点是低导通电阻、优异的门级电荷乘以导通电阻乘积(FOM)、优异的热阻、175°C工作温度、雪崩额定、dv/dt额定,适用于快速开关的降压转换器。
文件类型: PDF 大小:444 KB
Infineon IPB14N03LA/IPI14N03LA/IPP14N03LA 说明书(1)
该文档介绍了IPB09N03LA、IPI09N03LA和IPP09N03LA OptiMOS®2功率晶体管的特点,包括适用于高频率DC/DC转换器、N通道、逻辑电平、优异的栅极电荷与导通电阻乘积、非常低的导通电阻、优良的热阻、175°C的工作温度和dv/dt额定值等。
文件类型: PDF 大小:345 KB
Infineon IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G 说明书
IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G OptiMOS®2 功率晶体管的特性包括 N 通道、正常电平、优异的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)、极低的开关电阻 R DS(on)、175 °C 的操作温度、无铅焊锡镀层;符合 RoHS 标准、根据 JEDEC1) 针对目标应用而认证,非常适合用于高频开关和同步整流。
文件类型: PDF 大小:515 KB
Infineon IPP07N03L IPB07N03L 说明书
该文件介绍了2002年10月17日发布的IPP07N03L和IPB07N03L OptiMOS Buck转换器系列产品的特点和特性。这些产品是N型逻辑电平场效应晶体管,具有低导通电阻、优异的门电荷x导通电阻乘积、卓越的热阻、175°C的工作温度、耐雪崩和耐dv/dt能力,适用于快速开关降压变换器。
文件类型: PDF 大小:159 KB
Infineon IPB05N03LA IPI05N03LA, IPP05N03LA 说明书
该文档介绍了IPB05N03LA、IPI05N03LA和IPP05N03LA OptiMOS®2功率晶体管的特点和特性,包括适用于高频率DC/DC转换器、优秀的栅极电荷x R DS(on)产品、极低的导通电阻、优异的热阻、175°C工作温度等。
文件类型: PDF 大小:346 KB
Infineon IPB04N03LA IPI04N03LA, IPP04N03LA 说明书
IPB04N03LA是英飞凌公司推出的一款N沟道功率MOS管,其特点是具有高频率dc/dc转换器、逻辑电平、极低的开关电阻、优异的热阻等。
文件类型: PDF 大小:346 KB
Infineon IPP04N03L IPB04N03L 说明书
该文件介绍了 IPP04N03L 和 IPB04N03L 两个产品的特点特性,包括它们的最大额定值、电气特性、热特性等。
文件类型: PDF 大小:448 KB
Infineon IPB03N03LA IPI03N03LA, IPP03N03LA 说明书
该文档介绍了IPB03N03LA、IPI03N03LA和IPP03N03LA三个型号的OptiMOS®2功率晶体管。这些晶体管适用于高频率的直流/直流转换器,具有优秀的栅极电荷和导通电阻,以及卓越的热阻性能。其工作温度为175°C,具有良好的反向二极管dv/dt额定值。该文档还提供了各型号的参数和封装信息。
文件类型: PDF 大小:316 KB
infineon BC817, BC818 数据手册
BC817和BC818是NPN硅AF晶体管,适用于一般的AF应用。具有高集电极电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。还有相应的互补型号BC807和BC808(PNP)。
文件类型: PDF 大小:47 KB
infineon BC817UPN 数据手册
BC817UPN 是一款 NPN/PNP 硅晶体管阵列,适用于 AF 输入级和驱动应用,具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压,以及两个(隔离)内部隔离 NPN/PNP 晶体管在一颗封装中。
文件类型: PDF 大小:139 KB
infineon BC817U 数据手册
BC817U是一款NPN硅晶体管阵列,适用于音频输入级和驱动应用。具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压以及两个内部隔离的晶体管,具有良好的匹配性。
文件类型: PDF 大小:45 KB
Infineon BC817W/BC818W 说明书
BC817W, BC818W是NPN硅中频晶体管,适用于一般的中频应用,具有高收集器电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。与其互补型号为BC807W、BC808W(PNP)。
文件类型: PDF 大小:46 KB