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IDT7203/7204/7205/7206是双端口存储器缓冲器，具有内部指针，可在先进先出的基础上加载和清空数据。

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IDT72021/031/041是高速度，低功耗，双端口存储器设备，通常被称为FIFO（先进先出）。数据可以以独立速率写入存储器和读取存储器。存储和提取信息的顺序不变，但进入FIFO的数据速率可能与离开FIFO的数据速率不同。不同于静态RAM，不需要地址信息，因为读写指针以顺序方式前进。IDT72021/031/041s能够异步地读取和写入，并且具有四个状态标志（满，空，半满和几乎空/几乎满）。

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IDT71B74是高性能的静态RAM，组织形式为8K x 8，可提供29位地址比较功能。

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IDT54/74FCT374/534/574是8位寄存器，具有缓冲的公共时钟和缓冲的三态输出控制。当输出使能(OE)为低时，八个输出被启用。当OE输入为高时，输出处于高阻抗状态。

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IDT7006S/L是一款高速16K x 8双口静态RAM，具有真正的双口内存单元，可以同时读取相同的内存位置。具有高速访问速度，低功耗操作，扩展数据总线宽度等特点。

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IDT54/74FCT827AT/BT/CT/DT和IDT54/74FCT2827AT/BT/CT是高性能的CMOS缓冲器，适用于军用和商用温度范围。它们采用先进的双金属CMOS技术，提供高性能的总线接口缓冲和广泛数据/地址路径或携带奇偶校验的总线。它们具有NAND输出使能以实现最大的控制灵活性，并具有高容量负载驱动能力和低容量总线负载的设计。FCT2827T具有平衡的输出驱动和电流限制电阻，可降低地弹跳、最小下冲和受控的输出下降时间，减少对外部串联终端电阻的需求。

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该文件是IDT发布的关于IDT54/74FCT240/A/C, IDT54/74FCT241/A/C和IDT54/74FCT244/A/C的产品信息手册，介绍了产品的特点特性，包括功能、引脚、封装、速度等。

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该数据表格提供了IDT54/74FCT16244T/AT/CT/ET、IDT54/74FCT162244T/AT/CT/ET、IDT54/74FCT166244T/AT/CT、IDT54/74FCT162H244T/AT/CT/ET等产品的特性和特点，包括接口、功耗、温度范围等。

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IDT54/74FCT16501AT/CT/ET IDT54/74FCT162501AT/CT/ET IDT54/74FCT162H501AT/CT/ET 是集成电路制造商Integrated Device Technology, Inc. 生产的18位高速、低功耗注册总线收发器，具有透明、锁存和定时模式。

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本资料介绍了 IDT54/74FCT373T/2373T 和 IDT54/74FCT573T/2573T，这几款产品是高性能 CMOS 八路透明锁存器，具有低输入输出漏电、CMOS 电源电平、真 TTL 输入输出兼容性等特点。

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IDT71V256SA是一款262,144位高速静态RAM，组织为32K x 8。它是使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造的。IDT71V256SA具有出色的低功耗特性，同时又保持着非常高的性能。地址访问时间最快为10ns，非常适合3.3V桌面设计中的3.3V二级缓存。当电源管理逻辑将IDT71V256SA置于待机模式时，其非常低的功耗特性有助于延长电池寿命。通过将CS置高，SRAM将自动进入低功耗待机模式，并且只要CS保持高，SRAM将保持待机状态。此外，在全待机模式下（CS处于CMOS电平，f=0），功耗保证始终低于6.6mW，通常会更小。IDT71V256SA采用28针300mil SOJ和28针300mil TSOP Type I封装。

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The IDT 71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT's high-performance, high-reliability CMOS technology. Address access times as fast as 20ns are available with power consumption of only 350mW (typ.). The circuit also offers a reduced power standby mode. When CS goes HIGH, the circuit will automatically go to and remain in, a low-power standby mode as long as CS remains HIGH. In the full standby mode, the low-power device consumes less than 15µW, typically. This capability provides significant system level power and cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 5µW when operating off a 2V battery. The IDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, a 28-pin 300 mil SOJ, a 28-pin 600 mil DIP, and a 32-pin LCC.

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这是一款128k x 8位高性能静态cmos存储器

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IDT6116SA / LA是一种16,384位高速静态RAM，采用2K x 8的组织形式。它使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造。可提供快至15ns的访问时间。该电路还提供了降低功耗的待机模式。当CS变为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持在待机电源模式。这种能力可以显著节省系统级的功耗和冷却。低功耗（LA）版本还提供了电池备份数据保持能力，电路在使用2V电池时通常只消耗1µW至4µW的功率。IDT6116SA / LA的所有输入和输出都与TTL兼容。使用完全静态异步电路，不需要时钟。

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ISSI IS62C1024AL/IS65C1024AL是一种低功耗、131,072字x8位CMOS静态RAM。它采用高性能CMOS技术制造，具有高可靠性和低功耗的特点。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可以方便地进行内存扩展。通过使用CMOS输入电平，可以将功耗降低到待机模式。具有35、45 ns的高速访问时间、100 mW的低功耗、20 µW的低待机功耗以及输出使能（OE）和两个芯片使能（CE1和CE2）输入等特点。

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