MCC说明书大全

该文件是关于BZT52C2V4S至BZT52C39S型号的200mW齐纳二极管的特性描述，包括功率耗散、齐纳电压、正向电压、峰值正向浪涌电流等。

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该产品是一款410mW的Zener二极管，最大电流为100mA，最大正向电压为1.2V，最大反向漏电流为2.0A，工作温度范围为-55oC到+150oC

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BC556, BC557, BC558 是 MCC 的三种 PNP 硅放大器晶体管。它们具有 625mW 的最大功耗， -55 到 150 摄氏度的存储温度范围，并且具有 TO-92 塑料封装。

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该文件介绍了RB151至RB157型1.5安培单相整流桥整流器的特点和特性，包括低配置封装、任意安装位置、银镀铜引线和50安培的过载保护等。

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本文件中给出了BC546B/BC547B/BC548B NPN硅放大器晶体管的特性、参数及封装尺寸等信息。

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SMAJ4728-4764是高功率齐纳二极管，具有3.3至100伏的额定电压范围，并且可以承受高浪涌电流。它们可用于表面贴装应用，并具有平坦的处理表面，可实现准确放置。这些二极管具有热固性环氧树脂封装，可满足UL94V-0要求。

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RA351系列35安培恢复整流器具有低成本、低泄漏、低前向电压降、高电流能力和适用于汽车应用等特点。

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这是一份关于 LLSD101A THRU LLSD101C Schottky Barrier Switching Diode 产品的特性信息表，包括最大额定值、机械数据、电气特性等

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HER101 THRU HER108是1.0安培高效整流器，额定电压为50至1000伏特。产品具有高浪涌电流能力、高可靠性、低前向电压降和高电流能力。

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这份PDF文件介绍了BZX2C3V6到BZX2C200V的2瓦特稳压二极管的特点和特性，包括宽电压范围、玻璃封装、高温焊接等。

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该文件介绍了RL201GP到RL207GP系列2安培玻璃耐压整流器的特点，如低成本、低泄漏、低正向压降、高电流能力等。

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该数据表格主要提供MBR1620至MBR1660型号的肖特基二极管的最大额定值、封装尺寸、外形尺寸、工作温度、存储温度等信息

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该文档介绍了ER2A到ER2M型号的2安培超快恢复硅整流器的特点和特性，适用于表面贴装应用，具有极低的热阻、易于拾取和放置以及高温焊接等特点。

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该数据表格详细列出了DL5221 THRU DL5281 500 mW Zener Diode 2.4 to 200 Volts的特性参数，包括工作温度范围、最大功率耗散、电容、封装尺寸等。

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该文件介绍了MU R7005到MU R7060系列超快速恢复整流器的特点和特性，包括工作温度、储存温度、最大峰值反向电压、最大有效值电压、最大直流阻断电压等。还包括了其电气特性，如平均正向电流、峰值正向浪涌电流、最大瞬时正向电压、额定直流阻断电压下的最大反向电流等。

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RS601-RS607是6安培单相桥式整流器，额定电压范围为50-1000伏，具有低漏电、低正向电压、任何安装位置、银镀铜引线、200安培的浪涌过载额定值等特点。

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SMCJ系列是表面贴装的瞬变电压抑制器，其封装为JEDEC DO-214AB塑料外壳，具有低电感、低轮廓、内置应力释放、玻璃钝化结和优异的钳位能力。

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400瓦瞬态电压抑制器

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