MCC说明书大全

MCC RGP20A THRU RGP20M 数据手册

该数据表格介绍了RGP20A-20M型号的二极管的特点特性,包括最大平均正向电流、最大峰值反向电压、最大反向恢复时间等

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MCC MCCD2004S 说明书

MCCD2004S 350 mW 高压开关二极管 240 伏特,表面贴装 SOT-23 封装,可承受 350 毫瓦功耗,适用于需要高压功能的应用。

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MCC RS401L THRU RS407L Data Sheet

RS401L到RS407L 是一种桥式整流器,工作电压范围为50至1000伏特,具有低泄漏电流和低正向电压。它可以在任意安装位置使用,并具有银镀铜引线和200安培的浪涌过载额定值。

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MCC FR301 THRU FR307 DATA SHEET

FR301-FR307是3安培快速恢复二极管,具有低成本、低漏电、低正向压降、高电流能力、高开关速度的特点,可用于各种电路中。

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MCC GS2A THRU GS2M 数据手册

该文件介绍了一种具有极低热阻的2.0安培硅整流器,适用于表面安装应用。它具有较高的温度焊接能力,可以在250摄氏度下连续加热10秒。该产品提供了不同的型号,最大工作温度为-55摄氏度至+150摄氏度。

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MCC SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA Data Sheet

SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA 是瞬态电压抑制器,特点是表面安装,低功耗,响应时间快,低内阻。

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MCC EGP20A THRU EGP20K Data Sheet

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MCC 751KD05NX* thru 8R0MD05NX* 数据手册

该数据表格为751KD05NX*到8R0MD05NX*系列产品的技术参数,包括电压、功率、能量、温度等

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MCC BAV19W THRU BAV21W 数据手册

BAV19W THRU BAV21W是410mW的小信号二极管,额定电压为120至250伏。这些二极管采用硅外延平面结构,适用于通用用途,并提供其他外壳。

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MCC GL34A THRU GL34M 数据手册

该文件介绍了GL34A到GL34M系列0.5安培标准恢复整流器的特点和特性,包括高电流能力、极低热阻、适用于表面贴装应用、高温焊接等。

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MCC GBJ8005 THRU GBJ810 数据手册

GBJ8005至GBJ810是8安培玻璃过氧化物桥式整流器,工作温度范围为-55°C至+150°C,最大峰值反向电压为50至1000伏特。具有低前向电压降和高峰值前向浸泡电流等特点。

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MCC GBJ15005 THRU GBJ1510 数据手册

GBJ15005至GBJ1510 15安培玻璃钝化桥式整流器50至1000伏特

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MCC FR601 THRU FR607 数据手册

该文件介绍了FR601至FR607系列6A快速恢复整流器的特点和特性,包括低成本、低泄漏、低正向电压降、高电流能力、快开关速度等。

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MCC SF31 THRU SF38 数据手册

SF31至SF38 3.0安培超级快恢复二极管 50至600伏特

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MCC ER1A THRU ER1M 数据手册

ER1A THRU ER1M 1 Amp Super Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts,该产品具有以下特点:极低的热阻,易于拾取和放置,高温焊接:250°C 10 秒终端,超快恢复时间,高效率。

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MCC 1N5926B THRU 1N5956B 数据手册

该文档介绍了1N5926B至1N5956B型号的1.5瓦特稳压二极管的特点和特性,包括玻璃钝化结构、低轮廓封装、低电感和内置应变缓解等。

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MCC SK102 THRU SK1010 数据手册

该文档介绍了SK102到SK1010型号的10安培肖特基整流器,工作电压范围为20到100伏特,具有表面贴装应用、极低热阻、易于拾取和放置等特点。

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MCC SR502 THRU SR5010 5 Amp Schottky Barrier Rectifier 50 to 100 Volts DO-201AD 数据手册

该文件介绍了SR502到SR5010系列5安培肖特基势垒整流器的特点和特性,包括低开关噪音、低正向电压降、高电流能力和高浪涌电流能力。

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MCC P5KE5.0 THRU P5KE170A 500 Watt Transient Voltage Suppressors 5.0 to 170 Volts 数据手册

该文件介绍了P5KE系列的过电压抑制器的特点和特性,包括单向和双向功能、低电感、高温焊接等。

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MCC BC327-16/25/40 PNP Plastic-Encapsulate Transistors

BC327-16/25/40 PNP Plastic-Encapsulate Transistors,最大工作温度为-55℃到+150℃,存储温度为-55℃到+150℃,集电极-电流为-0.8A,集电极-基极电压为VCBO=-50V(BC327),VCBO=-30V(BC328),额定功耗为0.625W。

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