IXYS SEMICONDUCTOR IXKC 20N60C 说明书 该文件介绍了IXYS公司2004年生产的一款产品的测试条件和最大额定值，包括电压、电流、功耗等参数。该产品采用了硅芯片和直铜键合基板，具有高功率耗散和隔离安装表面等特点。此外，该产品还具有高阻挡能力、低导通电阻和溅流保护等特性，适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正、焊接和感应加热等应用领域。
IXYS CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 数据手册 该文档介绍了IXYS的产品特点和特性，包括高功率耗散、隔离安装表面、高阻断能力、低导通电阻等。该产品适用于开关电源和不间断电源等应用。
IXYS DHG 40 C 1200 HB Sonic Fast Recovery Diode 数据手册 该文件介绍了DHG 40 C 1200 HB advanced ns Sonic Fast Recovery Diode的符号定义、评级、特点和优势以及应用领域。
IXYS DHG 40 C 600 HB Sonic Fast Recovery Diode 数据手册 DHG 40 C 600 HB 是飞利浦半导体公司生产的一种快速恢复二极管，其特点是具有非常低的漏电流、非常短的恢复时间、改进的热行为、非常低的 Irm 值、非常软的恢复行为、雪崩电压额定可靠运行、软反向恢复以降低 EMI/RFI、低 Irm 可减少: - 二极管内的功耗 - 开关中转换损失
IXYS DHG 60 C 600 HB 说明书 DHG 60 C 600 HB是一款高性能快恢复二极管，具有以下特点：非常低的漏电流、非常短的恢复时间、改进的热行为、非常低的Irm值、非常软的恢复行为、雪崩电压额定可靠运行、低EMI/RFI的软反向恢复、低Irm可降低二极管内的功耗和开关开关中的开启损耗。
IXYS IXTH 20N60 数据手册 IXTH 20N60 / IXTM 20N60是IXYS公司的N沟道增强型功率MOSFET，具有国际标准封装、低RDS(on)、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5nH）、易于驱动和保护、快速开关时间等特点。应用于开关模式和谐振模式电源供应、电机控制、不间断电源供应（UPS）和DC斩波器。
IXYS DPG 30 C 400 HB 数据手册 DPG 30 C 400 HB是DPG系列的一种高性能肖特基二极管，具有很低的漏电流、很短的恢复时间、改进的热性能、很低的Irm值、很柔软的恢复行为，以及用于可靠运行的雪崩电压额定值。该二极管适用于高频开关器件的反并联二极管、反饱和二极管、吸收二极管、自由轮毂二极管、开关电源中的整流器（SMPS）和不间断电源（UPS）。
IXYS IXFH 28N50F, IXFT 28N50F 数据手册 该文件提供了HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class的特性信息，包括最大电压、连续电流、瞬态电流、击穿电压、击穿能量、漏电流、开关速度等参数。
IXYS DPG 60 C 300 HB 说明书 DPG 60 C 300 HB是一种低漏电流、低恢复时间、低功耗的肖特基二极管，适用于抗并联二极管、抗饱和二极管、箝位二极管、自由轮动二极管、开关模式电源(SMPS)的整流器和不间断电源(UPS)。
IXYS IXFH 21N50F, IXFT 21N50F 数据手册 该数据表提供了HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr的最大额定值、特性值、特征以及应用场景等信息。
IXYS DSA 50 C 150 HB 说明书 DSA 50 C 150 HB 高级肖特基二极管具有低Vf，极低的开关损耗，低Irm值，改善的热行为，高可靠性电路操作，降低保护电路的低电压峰值，低噪声开关等特点。
IXYS SEMICONDUCTOR IXTH 50N20/IXTM 50N20 MegaMOS FET 说明书 IXTH 50N20是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为50A，典型导通电阻为45mΩ，采用TO-247和TO-204封装。
IXYS DSA 70 C 100 HB 说明书 DSA 70 C 100 HB是IXYS公司生产的一款高性能肖特基二极管，具有非常低的Vf，极低的开关损耗，低的Irm值，改进的热行为，高可靠性的电路操作，低电压峰值，减少保护电路的噪声开关。
IXYS IXFN 55N50/50N50/55N50/50N50 Single Die MOSFET IXFK/IXFN系列是IXYS公司于2002年推出的一款N沟道功率MOSFET，采用了miniBLOC封装，外形尺寸为5.1mm×6.5mm×3.0mm，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度、优秀的抗电磁干扰能力等特点，适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关电源等应用场合。
