ATMEL说明书大全

该文件介绍了FX6805浮点运算器的功能特性。

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TS68332是32位微控制器，具有低功耗，并带有特殊的STOP模式。工作频率为5V±10%电源和20.97MHz，可在5V±5%下以软件可编程的方式运行。该器件采用1µ高密度互补金属氧化物半导体(HCMOS)静态设计，并采用132引脚陶瓷引线芯片载体(CERQUAD)和132引脚陶瓷引脚网格阵列(PGA)封装。

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TS68332是一个低功耗的32位微控制器，运行频率为16.78MHz，工作电压为5V±10%，使用1µHCMOS工艺，采用静态设计。

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这份文件是关于TS68000/TS68008处理器的技术手册，该处理器支持16位或8位，具有独立的直接存储器访问控制器、中断控制器、并行输入/输出端口、可用1152字节的双端口随机存取存储器、三个计时器、包括看门狗计时器、四个可编程片选线、带有等待状态逻辑的可编程地址映射、带有输出时钟信号的片上时钟发生器、系统控制寄存器、带有低中断延迟的总线仲裁逻辑、支持硬件看门狗以监控总线活动、低功耗(待机)模式、禁用CPU逻辑(TS68000)、用于调试所选片上外围设备的冻结控制、DRAM刷新控制器。

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该文件介绍了TS68000/TS68008微处理器芯片的功能特点，包括TS68000/TS68008微处理器核心、系统集成块、通信处理器等。

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TS68040是Atmel第三代68000兼容的、高性能的32位微处理器。TS68040是采用多种并发执行单元和高度集成体系结构的虚拟内存微处理器，可在单片HCMOS器件中提供非常高的性能。TS68040在单片上集成了68030兼容的整数单元、IEEE 754兼容的浮点单元（FPU）和完全独立的指令和数据需求分页内存管理单元（MMU），包括4K字节独立的指令和数据高速缓存。通过使用多个独立的执行管道，实现了高程度的指令执行并行性

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TS68040是Atmel的第三代68000兼容的高性能32位微处理器。TS68040采用虚拟内存微处理器，具有多个并发执行单元和高度集成的架构，以在单片的HCMOS器件中提供非常高的性能。TS68040集成了一个与68030兼容的整数单元、一个与IEEE 754兼容的浮点单元（FPU）以及完全独立的指令和数据需求分页内存管理单元（MMUs），包括4K字节独立的指令和数据缓存。通过使用多个独立的执行流水线，实现了高度的指令执行并行性。

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TS68040是一款高性能的32位微处理器，具有26-42MIPS的整数性能和3.5-5.6MFLOPS的浮点性能。

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TS68020是TS68000系列微处理器的第一个完整的32位实现。它采用HCMOS技术实现，具有32位寄存器和数据路径、32位地址、丰富的指令集和多种寻址模式。

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TS80C31X2 8位CMOS微控制器无ROM

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1078系列1英寸直径钢制门磁闭合接触器

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U2896B是一款用于GSM、DCS和PCS系统的调制PLL。该器件集成了混频器、I/Q调制器、带有两个同步可编程分频器的频率检测器（PFD）和一个充电泵。U2896B设计用于GSM900、DCS1800和PCS1900等蜂窝电话，采用发射机架构，其中VCO以TX输出频率运行。由于带外噪声非常低，因此不需要双工器。U2896B具有低功耗。宽带操作为多频段频率映射提供了高灵活性。该IC采用缩小的36针小外形封装（SSO36）。

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AT25080/160/320/640 系列是 AT25 系列 8 位串行电可擦程可编程只读存储器 (EEPROM)，具有 8192/16384/32768/65536 位，组织为 1024/2048/4096/8192 个 8 位字。该器件经过优化，可用于许多工业和商业应用，在这些应用中，需要低功耗和低电压操作。

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该文件介绍了一款具有高性能和低功耗的AVR 8位RISC架构产品。它具有118条强大的指令，大多数单周期执行，32个通用寄存器，最高8 MHz时钟频率下可达到8 MIPS的吞吐量。该产品还具有2K/4K字节的可编程闪存和128字节的SRAM，以及128/256字节的可编程EEPROM。还包括一个8位定时器/计数器，一个扩展的16位定时器/计数器，一个模拟比较器，可编程看门狗定时器，可编程UART等外设特性。

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AT24C512SC是一种串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），它具有低功耗和低电压操作的特点。它提供了524,288位的存储空间，采用65,536个8位字的组织形式。该设备适用于智能卡应用，具有高可靠性和兼容性。

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AT87F51是一款低功耗、高性能CMOS 8位微型计算机，具有4K字节的QuickFlash可编程只读存储器。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，兼容业界标准MCS-51™指令集和引脚排列。片上QuickFlash允许用户使用常规非易失性编程器对程序存储器进行编程。

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AT49BV040是一种4M位单电压2.7伏电池电压™闪存器，具有以下特点：单电压读写:2.7V至3.6V(BV)，3.0V至3.6V(LV)，快速读取访问时间-120ns，内部程序控制和定时器，16K字节引导块带锁定，快速芯片擦除周期时间-10秒，字节-字节编程-典型30µs/字节，硬件数据保护，数据轮询以检测程序结束，低功耗-25mA活动电流-50µA CMOS待机电流，典型10,000次写入周期，小型包装-8x8mm CBGA - 8x14mm V-TSOP。

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