ST说明书大全

ST ST62Exx-EPB 说明书

这是一份关于STMicroelectronics的预先信息,介绍了ST62 MCU系列的EPROM编程板的硬件和软件特性。编程板可以在独立模式和远程模式下使用,支持所有ST62 MCU的封装(除SSOP外)。软件支持Windows 95、98、NT操作系统,提供S19和INTEL hex文件格式。编程板可以通过按键启动从主EPROM设备或主MCU复制代码进行独立模式编程,也可以通过串行通道或并行口连接到PC进行远程模式编程。

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ST PSD4235G2 说明书

PSD4235G2是飞利浦的一种片上设备,它集成了可配置的存储器、PLD逻辑和I/O,可用于16位MCU的应用。它具有4 Mbit的主存储器、256 Kbit的辅存储器、64 Kbit的SRAM,以及3000个门的PLD。

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ST ST485E 说明书

ST485E是ST公司的一种低功耗RS-485/RS-422收发器,具有低功耗、高共模输入电压范围、高输入滞后、低延时、单电源供电、ESD保护和过载保护等特点。

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ST PSD4000 FAMILY Data Sheet

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ST STV9427/STV9428/STV9429 说明书

该文件介绍了STV9427/28/29型号的高速多合一显示器,具有CMOS单芯片OSD、内置1KB RAM、207个字符或图形符号、可编程字符闪烁等特点。

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ST STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.016Ω - 7A SO-8 STripFET II POWER MOSFET 数据手册

这是一款ST Microelectronics的STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.016Ω - 7A SO-8 STripFET™ II POWER MOSFET,具有低RDS(on)和极高的封装密度,适用于电池管理和电源管理等应用。

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ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书(2)

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ST STL8NH3LL 说明书

STL8NH3LL 是 STMicroelectronics 公司的 N 通道 30 V - 0.012 Ω - 8 A PowerFLAT™ 超低门极电荷 STripFET™ MOSFET。该器件具有典型 RDS(on) = 0.012 Ω @ 10V、改进的 DIE-TO-FOOTPRINT 比率、非常低的轮廓封装 (1mm MAX)、非常低的热阻、非常低的门极电荷和低阈值。

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ST STW6NA80/STH6NA80FI 说明书

STW6NA80 STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8Ω - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR,是STMicroelectronics的一种产品。它采用AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY,具有100% AVALANCHE TESTED、REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC、LOW GATE CHARGE、VERY HIGH CURRENT CAPABILITY等特点。主要应用于HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING、SOLENOID AND RELAY DRIVERS、REGULATORS、DC-DC & DC-AC CONVERTERS、MOTOR CONTROL、AUDIO AMPLIFIERS、AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)等场合。

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ST ST72141K 说明书

该文件介绍了一款带有电机控制、ADC、16位定时器和SPI接口的8位MCU。该产品具有8K程序存储器、256字节RAM、时钟、复位和供电管理、14个I/O端口、电机控制外设、3个定时器、通信接口、模拟外设、指令集和开发工具。

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ST ST24LC21B/ST24LW21/ST24FC21/ST24FC21B/ST24FW21 说明书

ST24LC21B, ST24LW21 ST24FC21, ST24FC21B, ST24FW21 1 Kbit (x8) Dual Mode Serial EEPROM for VESA PLUG & PLAY are 1K bit electrically erasable programmable memory (EEPROM), organized in 128x8 bits.

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ST ST14C02C 说明书

ST14C02C 是 ST 公司的一款 2Kbit 的 EEPROM,工作电压范围是 3V 到 5.5V,支持 I2C 接口,支持 BYTE 和 MULTBYTE WRITE,支持 PAGE WRITE,支持 BYTE、RANDOM 和 SEQUENTIAL READ,支持 Self-Timed Programming Cycle,支持 Automatic Address Incrementing,支持 Enhanced ESD/Latch-Up Behavior,支持 1 Million Erase/Write Cycles,支持 10 Year Data Retention。

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ST TLPxxM/G/G-1 说明书(3)

TLPxxM/G/G-1  PowerSO-10TM TLPxxM 是用于电信线路的三极过电压保护器。

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ST TLPxxM/G/G-1 数据手册(1)

TLPxxM/G/G-1系列是用于敏感电信设备的三极过电压保护器。具有三极短路保护、适用于电信应用的电压范围、重复峰值脉冲电流、持续电流、低电容和低泄漏电流等特点。

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ST TLPxxM/G/G-1 说明书(2)

TLPxxM/G/G-1系列是用于敏感电信设备的三极瞬态浪涌保护器,用于主要和次要保护。具有三极短路保护、针对电信应用选择的电压范围、重复峰值脉冲电流、保持电流和低电容、低漏电流等特点。

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ST PSD913F2 PSD934F2 PSD954F2 说明书

PSD913F2, PSD934F2, PSD954F2是三款可编程内存系统,工作电压为5V或者3.3V,具有2Mbit主存储器,256Kbit次要存储器,256Kbit SRAM,2000多个DPLD门,27个可重构I/O口,增强型JTAG串行端口,可编程电源管理单元,高耐久性

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ST NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories数据手册(1)

NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 是高密度NAND闪存存储器,具有高达1 Gbit的存储阵列,高达32 Mbit的备用区域,以及成本效益高的大容量存储应用程序解决方案。

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ST TDA7550/R TDA7551 TDA7552 TDA7553数据手册

TDA755X系列是一款高性能、全可编程的24位、50 MIPS数字信号处理器(DSP),设计用于支持多种语音和音频应用,如自动语音识别、语音合成、说话人验证、回声和噪声抑制。该芯片集成了A/D和D/A转换器以及大量内存,为这类应用提供了有效的解决方案。

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ST 74LX1G14 数据手册

74LX1G14是一种低压CMOS单稳态反相器,适用于1.65至5.5V的供电电压,并具有低功耗和低噪声的应用。该芯片具有3个电路阶段,包括缓冲输出,可提供高抗干扰性和稳定输出。此外,该芯片具有从0到7V的输入电压范围,可在混合3.3/5V系统中接口到5V信号环境。74LX1G14的引脚配置和功能与74LX1G04相同,但74LX1G14具有滞后,因此可以在具有慢速上升/下降输入信号的线路接收器上使用。该芯片的输入还具有防静电放电保护电路,可提供ESD免疫和瞬态过电压保护。

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ST 74LVQ280 9 BIT PARITY GENERATOR 数据手册

74LVQ280是一款低压CMOS 9位奇偶校验发生器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合低功耗和低噪声3.3V应用。它由九个数据输入(A到I)和奇偶校验输出(ΣODD和ΣEVEN)组成。九个数据输入控制输出条件。当高电平输入的数量为奇数时,ΣODD输出保持高电平,ΣEVEN输出低电平。反之,当高电平数量为偶数时,ΣEVEN输出保持高电平,ΣODD输出低电平。IC可以生成奇数或偶数校验,使其具有灵活的应用。通过级联,可以轻松扩展字长能力。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,使其具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。

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